【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能应用
,尤其涉及。
技术介绍
随着经济的发展和社会的进步,人们对能源提出了越来越高的要求。然而随着传 统能源的日益减少,寻找新能源成为当前人类面临的迫切课题。而太阳能由于其环保及可 再生性等显著优点,成为了最理想的新能源。目前,太阳能发电技术受到了人们越来越多的 关注,其中晶体硅太阳能电池技术,以其稳定的电池效率、成熟的工艺技术、简单的工艺流 程以及便于大规模生产的优点占据了太阳能电池技术的主导地位,并且在未来相当长的一 段时期内都将作为太阳能电池的主流技术。其制备工艺流程一般为去除硅表面损伤层形 成减反射表面结构及化学清洗一在POCl3气氛中进行η型层的扩散一去除周边ρη结一沉 积表面减发射钝化层一丝网印刷正反面电极/背电场及电极烧结一结束。然而由于工艺流程简单,晶体硅太阳能电池的转换效率较低,为了提高电池的转 换效率,人们提出了选择性发射极太阳能电池结构。选择性发射极太阳能电池的基本结构 特征为电极栅线下及其附近区域为重掺杂,而其他区域(活性区)为轻掺杂。在活性区轻 掺杂可以降低少数载流子的体复合几率,且可以进行较好的表面钝化,降低 ...
【技术保护点】
一种选择性发射极太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:去除硅基片表面损伤层;采用丝网印刷技术在所述硅基片表面印刷开有电极窗口的掩模层。
【技术特征摘要】
1.一种选择性发射极太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括 去除硅基片表面损伤层;采用丝网印刷技术在所述硅基片表面印刷开有电极窗口的掩模层。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述采用丝网印刷技术在所述硅基片表面印刷开有电极窗口的掩模层具体为采用 SiCUt为印刷浆料,在所述硅基片表面非电极区域丝网印刷开有电极窗口的SW2掩模层。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述采用丝网印刷技术在所述硅基片表面印刷开有电极窗口的掩模层具体为采用 SiNx作为印刷浆料,在所述硅基片表面非电极区域丝网印刷开有电极窗口的SiNx掩模层。4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于, 所述SW2掩模层的厚度为100 2000nm。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,包括在所述去除硅基片表面损伤层和所述采用丝网印刷技术在所述硅基片表面印刷开有 电极窗口的掩模层的步骤之间,对所述硅基片表面进行轻掺杂;在所述采用丝网印刷技术在所述硅基片表面印刷开有电极窗口的掩模层的步骤之后, 对所述硅基片的所述电极窗口区域进行重掺杂。6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述采用丝网印刷技术在所述硅基片表面印刷开有电极窗口的掩模层的步骤后包括对所述硅基片的所述电极窗口区域进行重掺杂,然后对所述硅基片进行轻掺杂或者对 所述硅基片的所述电极窗口区域进行重掺杂的同时对所述硅基片的其他区域进行轻掺杂。7.根据权利要求5所述的方法,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡立琼,
申请(专利权)人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,
类型:发明
国别省市:11
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