【技术实现步骤摘要】
本专利技术本专利技术属于光伏
，具体涉及一种采用离子注入法制作太阳电池的 方法。
技术介绍
光伏技术是一门利用大面积的p-n结二极管将太阳能转化为电能的技术，这个 p-n结二极管叫做太阳电池。制作太阳电池的半导体材料都具有一定的禁带宽度，当太阳电 池受到太阳辐射时，能量超过禁带宽度的光子在太阳电池中产生电子空穴对，P-n结将电子 空穴对分离，P-n结的非对称性决定了不同类型的光生载流子的流动方向，通过外部电路连 接可以向外输出功率。这跟普通的电化学电池原理类似。由单一的p-n结形成的太阳电池的理论最高转换效率在30%左右[W. Shockley and H. J. Queisser, J. Appl. Phys. 32，150 (1961)]。在由各种不同材料制作的太阳电池中， 昂贵的化合物半导体太阳电池主要应用于太空和聚光光伏系统，除此之外，单晶硅太阳电 池转换效率最高。单晶硅片主要由采用CzochralskUCZ)法制作的掺硼的ρ型硅锭切割而 成，工业上大量生产的P型单晶硅太阳电池的转换效率在17%左右，缺陷和杂质造成的光 生载流子复合缩短了 P型吸收...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
一种采用离子注入法制作太阳电池的方法，其特征在于所述的光伏电池由以下结构组成一种导电类型的晶体硅基底，基底为单晶硅片或者多晶硅片，导电类型为n型或者p型；在基底的前表面上具有发射极结构，该结构包含有具有特定掺杂浓度的掺杂层，其中的掺杂剂与基底的导电类型相反，包含有一套接触栅线，还包含在掺杂层上的一层减反射膜；在基底的背面具有背表面场结构，该结构包含有具有一层重掺杂层，其中的掺杂剂与基底的导电类型相同，包含一层绝缘薄膜，还包含穿过薄膜与重掺杂层形成欧姆接触的金属导电电极；该工艺采用离子注入法部分或完全替代热扩散实现在硅片上的杂质掺杂形成发射极结构和背表面场结构。2.根据权利要求1所述的采用离子注入法制作太阳电池的方法，其特征在于其中P+ 或者η+掺杂层在晶体硅基底的前表面采用离子注入法形成，离子注入的温度为10 50°C， 所述掺杂层的掺杂深度在IOOnm 5 μ m。3.根据权利要求1所述的采用离子注入法制作太阳电池的方法，其特征在于其中ρ+ 或者η+掺杂层在晶体硅基底的背面采用离子注入法形成，离子注入的温度为10 50°C，掺 杂层的掺杂深度在IOOnm 5 μ m。4.根据权利要求3所述的采用离子注入法制作太阳电池的方法，其特征在于其中 P++或者η++点状掺杂区在所述晶体硅基底的背面ρ+或者η+掺杂层中形成，ρ++或者η++ 点状掺杂区利用掩膜，采用离子注入法在温度为10 50°C条件下实现，所述的点状掺杂 区具有与基底一样的导电类型，所述的点状为圆形、椭圆形、正方形或长方形，点的大小为 10 μ m 5mm。5.根据权利要求1所述的采用离子注入法制作太阳电池的方法，其特征在于其中薄 膜在...
【专利技术属性】
技术研发人员：金井升，尹海鹏，朱生宾，单伟，刘勇，
申请(专利权)人：晶澳太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：13
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