【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳电池
，具体涉及一种应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀 p-n结或绒面结构的工艺。
技术介绍
随着人类社会的发展，对能源的需求不断增长。但是常规化石能源具有资源有限 性和不可再生的缺点，同时对环境造成严重的污染，改变地球气候特点，因此太阳能作为环 保的可再生能源之一，近年来越来越受到世界各国的重视和支持。太阳电池光伏发电是太 阳能的一种利用形式，它的基本原理是利用光生伏打效应将光直接转换成电。太阳电池光 伏发电要成为常规化石能源的替代，太阳电池必须具备生产成本低、生产过程环保、电池光 电转换效率高的特点。晶体硅太阳电池是目前主流的太阳电池，因此实现晶体硅太阳电池 低成本环保生产并具有高的光电转换效率的工艺研究开发显得尤为重要。单面腐蚀晶体硅 硅片p-n结或绒面结构的工艺是有效提高晶体硅太阳电池光电转换效率的工艺之一。通常，晶体硅太阳电池用硅片在高温扩散后具有双面p-n结结构，如果不针对此 双面p-n结结构进行有效处理，太阳电池在实际工作中会产生边缘漏电导致电池光电转换 效率的大幅下降。目前，针对晶体硅硅片双面P-n结结构进行防漏电处理的方法包...
【技术保护点】
一种应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀ｐ－ｎ结或绒面结构的工艺，其特征在于，首先对硅片进行化学预处理形成绒面结构，接着对硅片进行高温磷扩散或硼扩散形成ｐ－ｎ结结构，再用酸性化学液去除磷硅玻璃或硼硅玻璃，接着对硅片非腐蚀面的ｐ－ｎ结进行介质膜保护，再用酸性化学液去除非保护面即腐蚀面的自然氧化层或腐蚀面的介质膜材料，然后采用碱性化学液对腐蚀面的ｐ－ｎ结或绒面结构进行化学反应腐蚀，最后对硅片上的介质膜和硅片腐蚀面进行有效的清洗，保留介质膜作为晶体硅太阳电池的功能薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的工艺，其特征在于，首 先对硅片进行化学预处理形成绒面结构，接着对硅片进行高温磷扩散或硼扩散形成p-n结 结构，再用酸性化学液去除磷硅玻璃或硼硅玻璃，接着对硅片非腐蚀面的P-n结进行介质 膜保护，再用酸性化学液去除非保护面即腐蚀面的自然氧化层或腐蚀面的介质膜材料，然 后采用碱性化学液对腐蚀面的P-n结或绒面结构进行化学反应腐蚀，最后对硅片上的介质 膜和硅片腐蚀面进行有效的清洗，保留介质膜作为晶体硅太阳电池的功能薄膜。2.根据权利要求1所述的应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的 工艺，其特征在于，所述的硅片为P型或η型单晶硅片或多晶硅片，硅片电阻率为0. 1 20 Ω · cm,厚度为 50 500 μ m。3.根据权利要求1所述的应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀P-n结或绒面结构的工 艺，其特征在于，所述的绒面结构为金字塔绒面结构、倒金字塔绒面结构、椭圆凹坑绒面结 构、长条状凹坑绒面结构或多孔硅绒面结构。4.根据权利要求1所述的应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的工 艺，其特征在于，所述的高温磷扩散或硼扩散的扩散温度为500 1100°C。5.根据权利要求1所述的应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀P-n结或绒面结构的工 艺，其特征在于，所述的酸性化学液为氢氟酸化学液或氢氟酸和盐酸、硫酸或硝酸的混合 酸性化学液，其中氢氟酸的重量浓度为 50%，盐酸、硫酸和硝酸的重量浓度为0% 30...
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