一种准单晶硅片的制绒方法技术

技术编号:5166306 阅读:371 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种准单晶硅片的制绒方法,对以(100)晶粒为主的准单晶硅片进行先酸制绒后碱制绒的制绒工艺,并根据准单晶硅片中(100)晶粒的所占面积的比例,调节酸、碱制绒的程度,以达到最好的综合制绒效果。该方法工艺简单,整体制绒效果好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池领域,具体涉及。技术背景制绒是制备具有减少反射功能的硅表面的方法,在硅太阳能电池的制作过程中, 一般都采用制绒的方式将硅片表面织构化,利用表面的陷光作用促进太阳光的吸收,提高 电池的转换效率。单晶硅具有低缺陷、高转换效率等特点,特别是碱制绒方法的广泛应用使得单晶 硅电池片更具优势,该制绒方法形成的金字塔型织构化表面使入射光多次反射,大大加强 了光的吸收,提高了转换效率。早在上世纪70年代,各向异性碱腐蚀法就已经被成功应用, 并一直沿用至今天,通过该方法形成的绒面,可以将硅片表面的反射率大大降低,且工艺成 本很低,在工业上有成熟的应用。相对于单晶硅,多晶硅具有低成本的突出优势,在近年来的太阳能电池市场中占 有着较大的比例。但是多晶硅中晶粒取向具有随机性,且存在大量晶界及缺陷,作为电池的 基体材料,质量不及单晶硅。另一方面,由于多晶硅片中各晶粒的取向不一,在后续电池片 制作过程中,不能使用综合效益很好的碱制绒方法。在生产中,对于多晶硅一般采用各向同 性的酸制绒方式,通过改进已经能起到较好的织构化效果,但是跟以上的碱制绒相比,还是 存在较大差距。目前,多晶硅太阳能电池的转换效率较单晶硅电池约低1. 5 2%。在太阳能电池产业当中,单晶、多晶硅各自存在着其明显的优势及劣势,用多晶铸 锭的方法生产准单晶硅是一种能将单晶、多晶优势相结合的方法。近年来,已经陆续出现相 关的报道。通过上述铸锭方法制作的准单晶硅片,由于长晶控制及切割位置等的影响,在硅 片中除了(100)晶面,通常还会不可避免地出现部分其他晶向的晶粒,即为随机生长的多 晶晶粒。对于这类硅片的电池片制作,制绒工艺需结合单晶、多晶制绒的优势。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供,该方法工艺简单,制绒效果 好。为达到上述目的,本专利技术提供的一种准单晶硅的制绒方法,对以(100)晶粒为主 的准单晶硅片进行先酸制绒后碱制绒的制绒工艺,并根据准单晶硅片中(100)晶粒的所占 面积的比例,调节酸、碱制绒的程度,以达到最好的综合制绒效果。本专利技术所述的酸优选为HF和HNO3的混合酸溶液,其体积百分含量优选为 50% -80%。上述HF和HNO3的体积比优选为1 1-4。本专利技术酸制绒时的温度优选为2_15°C。本专利技术经上述酸制绒后的准单晶硅片的腐蚀深度为1_15μπι。本专利技术所述的碱优选为NaOH或KOH溶液,其重量百分含量为1_5%。本专利技术上述碱制绒时的温度为70-90°C。本专利技术经酸、碱制绒后的准单晶硅的腐蚀深度为2-30 μ m。本专利技术的优点是对于含(100)晶粒的硅片,可根据(100)晶粒在硅片中的面积比 例调整酸碱制绒的程度,使得整体制绒效果最佳。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术作进一步的说明,以下试剂如无特殊说明均为市佳口。实施例1实验所采用的硅片为156X 156的P型准单晶硅片,(100)晶粒面积约占整个硅片 面积的2/3。酸制绒选择HF、HNO3与水配制混合溶液,混合酸的体积百分含量为68 %,HF与 HNO3的体积比为1 3,制绒温度为7°C,调节制绒时间使硅片的腐蚀深度为7. 5-8. 5 μ m,清洗后吹干。碱制绒将经过以上酸制绒的硅片放入NaOH碱溶液中进行进一步碱制绒,溶液中 碱的重量百分含量2%,还可以在碱溶液中加入添加剂,以改善制绒效果;加热至80°C,通 过时间控制调节碱制绒的腐蚀深度为6. 5-7 μ m。经以上制绒工艺得到的硅片,(100)晶粒的平均反射率约为11-14%,其它晶粒的 反射率约为22-25%。最终电池片的转换效率为17. 2% -17. 5%。实施例2实验所采用的硅片为156X156的P型准单晶硅片,(100)晶粒面积基本占据整个 硅片3/4。酸制绒选择HF、HNO3与水配制混合溶液,混合酸的体积百分含量为70 %,HF与 HNO3的体积比为1 2. 5,制绒温度为8 V,通过时间控制使腐蚀深度为5-6 μ m,清洗后吹干。碱制绒将经过以上酸制绒的硅片放入KOH碱溶液中进行进一步碱制绒,溶液中 碱的重量百分含量为2%,加入添加剂以改善制绒效果,加热至80°C,通过时间控制使腐蚀 深度为8-9 μ m。经以上制绒工艺得到的硅片,(100)晶粒的反射率小于11-13%,其它晶粒的反射 率约为2316%。最终电池片的转换效率为17. 3%-17.7%,与生产线中单晶的效率相当。实施例3实验所采用的硅片为156X156的P型准单晶硅片,(100)晶粒面积基本占据整个 硅片,小面积其它晶粒(少于1/5)。酸制绒选择HF、HN03与水配制混合溶液,混合酸溶液的体积百分含量为75%,HF 与HNO3的体积比为1 3,制绒温度为8°C,通过时间控制使腐蚀深度为3-4 μ m,清洗后吹干。碱制绒将经过以上酸制绒的硅片放入KOH碱溶液中进行进一步碱制绒,溶液中 碱的重量百分含量为2%,并加入添加剂以达到较好的制绒效果,加热至80°C,通过时间控 制使腐蚀深度为8-9 μ m。经以上制绒工艺得到的硅片,(100)晶粒的反射率小于12%,其它晶粒的反射率 约为2316%。最终电池片的转换效率为17.5% -17.9%,与生产线中单晶的效率相当。上述实施例为本专利技术较佳的实施方式,但本专利技术的实施方式并不受上述实施例的 限制,其他的任何未背离本专利技术的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化, 均应为等效的置换方式,都包含在本专利技术的保护范围。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种准单晶硅片的制绒方法,其特征是:对以(100)晶粒为主的准单晶硅片采用先酸制绒后碱制绒的制绒工艺,并根据准单晶硅片中(100)晶粒所占面积比例,调节酸、碱制绒的程度进行综合制绒。

【技术特征摘要】
1.一种准单晶硅片的制绒方法,其特征是对以(100)晶粒为主的准单晶硅片采用先 酸制绒后碱制绒的制绒工艺,并根据准单晶硅片中(100)晶粒所占面积比例,调节酸、碱制 绒的程度进行综合制绒。2.根据权利要求1所述的准单晶硅片的制绒方法,其特征是所述酸为HF和HNO3的混 合酸溶液,其体积百分含量为50% -80%。3.根据权利要求2所述的准单晶硅片的制绒方法,其特征是所述混合酸溶液中HF和 HNO3的体积比为1 1-4。4.根据权利要求1-3任一项所述的准单晶硅片的制绒...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄新明钟根香王松李志辉
申请(专利权)人:晶澳太阳能有限公司东海晶龙晶硅光伏材料研究院有限公司东海晶澳太阳能科技有限公司
类型:发明
国别省市:13[中国|河北]

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