氧化层钝化接触制备工序的钝化性能检测方法及钝化片技术

本申请提供成本低、可避免钝化片发黑的氧化层钝化接触制备工序的钝化性能检测方法，包括：提供第一预制硅片；第一次单面镀膜，得到第二预制片；非镀膜面绕镀清洗，第二预制片送入磷硅玻璃刻蚀机台，采用混酸溶液洗去非镀膜面上的绕镀，得到第三预制片；第二次单面镀膜，得到双面镀膜的第四预制片；对第四预制片退火晶化处理，得到双面钝化片；采用WCT‑120仪器对双面钝化片进行少子寿命测试，根据测试结果中的模拟开压确定氧化层钝化接触制备工序的钝化性能。本申请第二方面提供双面钝化片，双面钝化片用于接受WCT‑120仪器对其的少子寿命测试，以确定氧化层钝化接触制备工序的钝化性能。本申请还提供一种用于接受WCT‑120仪器对其的少子寿命测试的钝化片。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能电池检测，尤其涉及一种氧化层钝化接触制备工序的钝化性能检测方法及钝化片。

技术介绍

1、隧穿氧化层钝化接触(topcon)电池的工艺流程中，硅片背面经过碱抛之后进入pe-poly工序，pe-poly工序采用pecvd(等离子体增强化学气相沉积法)原位掺杂工艺制备隧穿氧化层和poly硅层(也称掺杂多晶硅层)，pecvd原位掺杂工艺原理为借助射频将含反应气体在局部形成等离子体，利用等离子体的强化学活性在基片表面沉积出薄膜。

2、现有pe-poly工序由于石墨舟的绕镀问题制作的双面钝化片会存在整面发黑异常，影响对经pe-poly工序制作后硅片上氧化层钝化接触制备工序的正常表征，无法表征硅片经过pe-poly工序后真实的钝化性能，容易导致电池片制备现场批量异常情况。

技术实现思路

1、本申请第一方面提供一种氧化层钝化接触制备工序的钝化性能检测方法，包括：

2、提供第一预制硅片，第一预制硅片经原料硅片双面制绒、双面抛光处理得到；

3、第一次单面镀膜，通过待测的氧化层钝本文档来自技高网...

【技术保护点】

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【技术特征摘要】

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6.根据权利要求5所述的氧化层钝化接触制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：严金梅，刘苗，董哲，
申请(专利权)人：晶澳太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：