一种选择性发射极工艺过程漏电的测试方法技术

本发明专利技术属于光伏技术领域，涉及一种选择性发射极工艺过程漏电的测试方法。所述测试方法包括如下步骤：(1)采用SE激光掺杂工艺对经扩散处理后的硅片表面进行双面掺杂，在所述硅片的双面形成特定的测试图形；(2)对所述硅片进行清洗、烘干处理；(3)在所述硅片的双面形成钝化膜；(4)将所述硅片进行退火处理；(5)获取对经退火处理后的所述硅片的模拟开路电压；(6)基于步骤(5)所获得的所述模拟开路电压对经所述SE激光掺杂工艺处理后的所述硅片对应的成品电池是否存在异常漏电进行预判。本发明专利技术所提供的测试方法将成品电池漏电异常前置，大大降低了成品电池漏电风险，数据直观准确，同时降低了组件热斑风险。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光伏，涉及一种选择性发射极工艺过程漏电的测试方法。

技术介绍

1、随着经济不断发展，能源消耗与日俱增，环保问题日益严峻。太阳能作为一种绿色、无污染的可再生能源，是人类未来能源消耗的重要来源之一，具有广阔的发展前景。近年来，单晶硅太阳电池工艺技术不断推陈出新，太阳电池的光电转换效率、制备成本均取得了一系列突破，尤其是选择性发射极太阳电池技术的应用进一步提升了单晶硅太阳电池的光电转换效率。

2、基于激光掺杂工艺的选择性发射极太阳电池的制备，是利用激光对硅片表面按照既定图形进行扫描，实现发射极的选择性重掺，以降低太阳电池的接触电阻，提升填充因子；而在非激光掺杂区域，通过高方阻实现开路电压和短路电流的提升，从而提升太阳电池的光电转换效率。在选择性发射极单晶硅太阳电池制备过程中，当激光掺杂区域出现损伤时，在其上印刷栅线后，栅线区域会存在漏电异常现象，导致成品选择性发射极单晶硅太阳电池中出现反向漏电流大、并联电阻小的异常太阳电池。

3、选择性发射极(selective emitter，se)工艺引入的激光掺杂技术导致的漏电异常现象本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种测试方法，用于对选择性发射极工艺过程是否存在异常漏电进行测试，其特征在于，所述测试方法包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，步骤(1)中，所述特定的测试图形与所使用的测试仪器的感应线圈面积相对应；

3.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，步骤(2)中，所述清洗包括先进行酸清洗，再进行纯水清洗；

4.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，步骤(3)中，所述钝化膜为：氮化硅膜层、氧化铝膜层、氮氧化硅薄膜中的至少一种或由其中任意两种或者多种经堆叠而成的复合膜；优选地，所述钝化膜为：氧化铝和氮化硅的叠膜。

5.如...

【技术特征摘要】

1.一种测试方法，用于对选择性发射极工艺过程是否存在异常漏电进行测试，其特征在于，所述测试方法包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，步骤(1)中，所述特定的测试图形与所使用的测试仪器的感应线圈面积相对应；

3.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，步骤(2)中，所述清洗包括先进行酸清洗，再进行纯水清洗；

4.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，步骤(3)中，所述钝化膜为：氮化硅膜层、氧化铝膜层、氮氧化硅薄膜中的至少一种或由其中任意两种或者多种经堆叠而成的复合膜；优选地，所述钝化膜为：氧化铝和氮化硅的叠膜。

5.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，步骤(4)中，所述将形成钝化膜后的所述硅片进行退火处理包括：将形成钝化膜后的硅片在烧结炉或者高温退火炉中进行退火处理；

6.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘苗，靳迎松，何灿，
申请(专利权)人：晶澳太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：