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本发明属于光伏技术领域，涉及一种选择性发射极工艺过程漏电的测试方法。所述测试方法包括如下步骤：(1)采用SE激光掺杂工艺对经扩散处理后的硅片表面进行双面掺杂，在所述硅片的双面形成特定的测试图形；(2)对所述硅片进行清洗、烘干处理；(3)在所...
该专利属于晶澳太阳能有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶澳太阳能有限公司授权不得商用。

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