【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种扁平式封装双场效应晶体管。
技术介绍
目前市场上的双MOSFET场效应晶体管结构通常都只适用与标准模块封装，底部 带铜板，外套塑料壳，最小也要20X92X30，因此体积较大，封装工艺复杂，封装成本很高，且 不适合大量生产，使用范围受到限制，占用空间大，直接影响客户成品外形大小，使用成本较高。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是为了克服上述技术问题，提供一种扁平式封装 双场效应晶体管，可以包封成扁平状，体积小，强度大，易于安装，各引脚排列独特，方便使用。 本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种扁平式封装双场效应晶体 管，具有引线框架、场效应晶体管芯片和环氧树脂封装体，每个引线框架包括一个电极片和 一个引脚，各电极片分开设置且排列在同一平面内，电极片和场效应晶体管芯片均封装在 环氧树脂封装体内，引脚由环氧树脂封装体同一侧伸出，所述的环氧树脂封装体为扁平状， 引线框架分为五个引线框架，对应引脚分为五个引脚，场效应晶体管芯片为两个芯片，第一 芯片焊接在第一引脚框架的第一电极片上，第二芯片焊接在第五引脚框架的第五电极片 上，第一芯片正面通过连接铝线与第三引脚相连，第二芯片正面通过连接铝线与第一引脚 相连，第一芯片栅极通过连接铝线与第二引脚相连，第二芯片栅极通过连接铝线与第四引 脚相连。 所述的环氧树脂封装体中部设置有安装孔。所述的环氧树脂封装体长为35士3mm，宽为23士3mm，厚为3士2mm。 本技术的有益效果是；该双场效应晶体管封装为扁平状，体积小，强度大，线路结构合理，相互间干扰小，各引脚排列独特，方便使用，生产工艺简单，成本低。以下结合附图和...
【技术保护点】
一种扁平式封装双场效应晶体管，具有引线框架、场效应晶体管芯片（６）和环氧树脂封装体（８），每个引线框架包括一个电极片和一个引脚，各电连极片分开设置且排列在同一平面内，连极片和场效应晶体管芯片（６）均封装在环氧树脂封装体（８）内，引脚由环氧树脂封装体（８）同一侧伸出，其特征是：所述的环氧树脂封装体（８）为扁平状，引线框架分为五个引线框架（１、２、３、４、５），对应引脚分为五个引脚（１２、２２、３２、４２、５２），场效应晶体管芯片（６）为两个芯片（６１、６２），第一芯片（６１）焊接在第一引线框架（１）的第一电极片（１１）上，第二芯片（６２）焊接在第五引线框架（５）的第五电极片（５１）上，第一芯片（６１）正面通过连接铝线（７）与第三引脚（３２）相连，第二芯片（６２）正面通过连接铝线（７）与第一引脚（１２）相连，第一芯片（６１）栅极通过连接铝线（７）与第二引脚（２２）相连，第二芯片（６２），栅极通过连接铝线（７）与第四引脚（４２）相连。
【技术特征摘要】
一种扁平式封装双场效应晶体管，具有引线框架、场效应晶体管芯片(6)和环氧树脂封装体(8)，每个引线框架包括一个电极片和一个引脚，各电连极片分开设置且排列在同一平面内，连极片和场效应晶体管芯片(6)均封装在环氧树脂封装体(8)内，引脚由环氧树脂封装体(8)同一侧伸出，其特征是所述的环氧树脂封装体(8)为扁平状，引线框架分为五个引线框架(1、2、3、4、5)，对应引脚分为五个引脚(12、22、32、42、52)，场效应晶体管芯片(6)为两个芯片(61、62)，第一芯片(61)焊接在第一引线框架(1)的第一电极片(11)上，第二芯片(62)焊接在...
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