【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种单晶炉装置，尤其是单晶炉的提升机构。
技术介绍
目前，直拉单晶炉是晶体生长设备中最重要的产品系列，用它来制作人工晶体，单 晶生长速度最高，最容易实现人工控制，因此也获得了最广泛的应用。为了生长出大尺寸和 高质量的单晶，人类几乎动用了一切先进的手段。可以说，在单晶炉上集成了材料、机械、电 气、计算机、磁、光、仪等多方面的高端知识和技术，是一个国家机电一体化设备制造水平的 反映。硅单晶体作为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其它电子元件。大部分的 半导体硅单晶体采用直拉法制造，一般采用如下制造方法多晶硅被装进石英坩埚内，加热 熔化，然后，将熔硅略做降温，给予一定的过冷度，把一交特定晶向的硅单晶体(称作籽晶) 装入硅籽晶夹持器中，将籽晶夹持器的上端通过连接件与籽晶轴连接，籽晶固定于夹持器 的下端，并且使籽晶与硅熔体接触，通过调整熔体的温度和籽晶向上的提升速度，使籽晶体 长大，在晶体长到需要的大小时候，就需要取出，取出晶体需要将单晶炉进行拆开后才行， 所以需要一种机构用于拆分单晶炉。
技术实现思路
本技术提供一种单晶炉的提升机构，它用在单晶炉娶晶硅时拆分单晶炉，它 具有稳定、安全、迅速的优点。实现本技术目的的技术方案如下单晶炉的提升机构，它包括底座以及设于底座上的支架、单晶炉与提升装置，单晶 炉包括炉体、翻板箱与副炉，提升装置包括第一提升油缸与第二提升油缸，第一提升油缸与 第二提升油缸固定在底座上，第一提升油缸与炉体连接用于提升炉体，第二提升油缸与翻 板箱与副炉连接，第二提升油缸的缸杆设于支架上并与支架滑动配合，支架上设有一级限 位机构和二级限位...
【技术保护点】
单晶炉的提升机构，其特征在于：它包括底座以及设于底座上的支架、单晶炉与提升装置，单晶炉包括炉体、翻板箱与副炉，提升装置包括第一提升油缸与第二提升油缸，第一提升油缸与第二提升油缸固定在底座上，第一提升油缸与炉体连接用于提升炉体，第二提升油缸与翻板箱与副炉连接，第二提升油缸的缸杆设于支架上并与支架滑动配合，支架上设有一级限位机构和二级限位机构，第二提升油缸的缸杆上设有与一级限位机构、二级限位机构相配合的第一限位板与第二限位板。
【技术特征摘要】
1.单晶炉的提升机构，其特征在于它包括底座以及设于底座上的支架、单晶炉与提 升装置，单晶炉包括炉体、翻板箱与副炉，提升装置包括第一提升油缸与第二提升油缸，第 一提升油缸与第二提升油缸固定在底座上，第一提升油缸与炉体连接用于提升炉体，第二 提升油缸与翻板箱与副炉连接，第二提升油缸的缸杆设于支架上并与支架滑动配合，支架 上设有一级限位机构和二级限位机构，第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈荣兴，
申请(专利权)人：江苏创大光伏科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]
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