一种带有提升和旋转机构的拉晶炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种带提升和旋转机构的拉晶炉，包括炉体以及炉体上方的副室，所述的提升和旋转机构包括：位于副室顶部的旋转头；位于副室内的可相对炉体转动的若干滑杆；可沿滑杆运动的滑块，滑块通过籽晶绳与旋转头连接；位于滑块底面的籽晶夹头。该拉晶炉通过滑杆和滑块的固定作用，可以有效避免籽晶绳的抖动和晃动现象，并可以实现需要大扭力的操作，扩大了采用ＣＺ法进行晶体生长的工艺范围，并且能够在晶体周围气流不稳定或外界有较大振源时，实现稳定的晶体生长。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种制备硅晶体的装置，尤其涉及一种带有提升和旋转机构的拉 晶炉。
技术介绍
硅晶体是半导体行业和太阳能行业最常使用的材料。生产这种材料最常用的方法 是丘克劳斯基法(Czochralski法，简称CZ法)。行业内又称为拉晶法或提拉法。丘克劳斯 基法制备硅晶体的设备称为拉晶炉。如图1所示，该设备由副室1、炉体2、隔离阀7和籽晶 提拉机构等组成。其中在炉体2内装有石墨热场。石墨热场通常由坩埚4、加热器5等组 成。在晶体生长时，由籽晶提拉机构控制籽晶的升降和旋转，使籽晶与坩埚4内熔化后的硅 料相接触，通过籽晶诱导生长出圆柱形的晶体8。籽晶提拉机构由旋转头3、与旋转头3连 接的籽晶绳9和籽晶夹头6组成。其中籽晶夹持在籽晶夹头6上，而籽晶夹头6则与籽晶 绳9相连。旋转头3在机械设计上可以实现旋转和收放籽晶绳9的功能。所以籽晶提拉机 构可以实现在晶体生长过程中同时提拉和旋转晶体8。由于晶体的提拉和旋转的动力是通 过柔性的籽晶绳传递的，因此这种拉晶炉又称为软轴直拉单晶炉。在晶体生长过程中，由于籽晶绳9为柔性结构，因此在拉制硅晶体时经常产生抖 动。这类抖动通常是由保护气体(通常为氩气)的冲本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带提升和旋转机构的拉晶炉，包括炉体（２）以及炉体（２）上方的副室（１），其特征在于，所述的提升和旋转机构包括：位于副室（１）顶部的旋转头（３）；位于副室（１）内的可相对炉体（２）转动的若干滑杆（１２）；可沿滑杆（１２）运动的滑块（１０），滑块（１０）通过籽晶绳（９）与旋转头（３）连接；位于滑块（１０）底面的籽晶夹头（６）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李乔，马远，
申请(专利权)人：浙江碧晶科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：33[中国|浙江]