半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置及其制造方法。半导体晶片（１）具有主表面。主芯片区域（２）在该主表面形成。副芯片区域（３）具有比主芯片区域（２）小的面积、并且与主芯片区域（２）相比位于半导体晶片（１）的端缘侧。副芯片区域（３）具有与主芯片区域（２）相同设计的图案。由此，能够获得在半导体晶片的面内排列芯片的情况下，能够防止晶片周围部的图案不良的产生的半导体装置及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别是涉及在半导体晶片的面内排列有芯 片的。
技术介绍
在半导体器件中以提高性能为目的，用于提高晶体管单元密度的图案微细化已经 成为技术趋势。图案微细化技术不仅能提高芯片性能，而且兼具通过芯片尺寸缩小带来的 成本降低效果。半导体芯片在硅晶片上以行列状排列，经过成膜、扩散、转印、加工等多个种 类的晶片处理工序，做成制品。近年来，伴随着设计规则的微细化，转印装置主要使用以步进重复方式(st印and repeat)按每次拍摄(shot)进行曝光的步进式曝光装置(stepper)。在步进式曝光装置中 能够使用希望转印到晶片上的图案尺寸的5倍大小的掩模图案。因此，步进式曝光装置与 转印图案和掩模图案为同尺寸的曝光的以往的镜面投影曝光方式相比，具有能够转印更微 细的图案的优点。在蚀刻处理中，根据被蚀刻膜的材质等，蚀刻液也不同。例如在蚀刻硅氧化膜的情 况下，以在转印工序中形成的抗蚀剂图案为掩模，利用氢氟酸类的液体进行蚀刻。在该方法 中，蚀刻液进行的反应不仅在图案的纵向，而且在横向也进行，因此蚀刻形状变为碗形。该 蚀刻由于在纵向和横向上都进行蚀刻，因此称为各向同性蚀刻。该蚀刻伴随着本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其中，具备：半导体晶片，具有主表面；第一芯片区域，在所述主表面形成，并且具有第一图案；以及第二芯片区域，具有比所述第一芯片区域小的面积，并且以和所述第一芯片区域相邻的方式配置在所述主表面，并且具有第二图案，所述第二图案是与所述第一图案相同的设计图案。

【技术特征摘要】
JP 2009-10-15 2009-2385771.一种半导体装置，其中，具备 半导体晶片，具有主表面；第一芯片区域，在所述主表面形成，并且具有第一图案；以及第二芯片区域，具有比所述第一芯片区域小的面积，并且以和所述第一芯片区域相邻 的方式配置在所述主表面，并且具有第二图案，所述第二图案是与所述第一图案相同的设计图案。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一图案和所述第二图案的每一个 是多个图案部相互并行的条带图案。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一图案的所述图案部的宽度和所 述第二图案的所述图案部的宽度相同，所述第一图案的相互相邻的所述图案部的间隔和所 述第二图案的相互相邻的所述图案部的间隔相同。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一图案和所述第二图案的每一个 是多个凹状图案部相互并行的条带图案。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一图案和所述第二图案的每一个具有作为多个凹状图案部的多个槽、和多个 高台区域，所述第一图案和所述第二图案的每一个是将所述槽和所述高台区域交替配置的条带 图案。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一图案的所述条带图案的所述高 台区域的宽度为1.5μπι以下。7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一图案的所述条带图案的所述槽 的纵横比为6以上。...

【专利技术属性】
技术研发人员：楢崎敦司，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]