双孔结构抛光垫制造技术

本发明专利技术的抛光垫可以用来对磁性基片、光学基片和半导体基片中的至少一种进行抛光。多孔抛光层包括位于聚氨酯基质中的双孔隙率结构。所述双孔隙率结构包括主要孔组，该主要孔组包括孔壁，所述孔壁的厚度为１５－５５μｍ，孔壁在２５℃测得的储能模量为１０－６０ＭＰａ。另外，孔壁包含次要孔组，所述次要孔组的平均孔径为５－３０μｍ。所述多孔抛光层固定于聚合膜或片状基片，或者成形为织造结构或非织造结构，以形成抛光垫。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及可以用来对磁性基片、光学基片和半导体基片中的至少一种进行抛光 的多孔聚氨酯抛光垫。例如，所述抛光垫可以特别有效地用来对半导体晶片材料进行化学 机械抛光(CMP)，更具体来说，本专利技术涉及用来抛光半导体基片的低缺陷方法。
技术介绍
半导体生产通常涉及一些化学机械抛光(CMP)工艺。在各CMP工艺中，通过抛光 垫与抛光液(例如包含磨料的抛光浆液或者不含磨料的活性液体)的组合，以一定的方式 除去多余的材料，从而进行平面化或保持平坦度，以便接受下一层。这些层以一定的方式组 合层叠，形成集成电路。由于人们需要运行速度更高、漏电更少和能耗减少的器件，所以这 些半导体器件的制造一直在变得越来越复杂。按照器件的结构，这变成要求特征几何结构 更精细，以及增加金属化层次的数量。这些越来越严格的器件设计要求促使人们采用越来 越小的线路间距，和相应地增大图案密度。器件的更小的规模以及增大的复杂性使得对CMP 消耗品(例如抛光垫和抛光液)的要求更高。另外，随着集成电路特征尺寸的减小，由CMP 产生的缺陷率，例如划痕，变成了更大的问题。另外，集成电路减小的膜厚度要求在改进缺 陷率的同时为晶片基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可以用来对磁性基片、光学基片和半导体基片中的至少一种进行抛光的抛光垫，所述抛光垫包括多孔抛光层，所述多孔抛光层包括位于聚氨酯基质中的双孔隙率结构，所述双孔隙率结构包括主要孔组和次要孔组，所述主要孔组具有孔壁，该孔壁的厚度为１５－５５μｍ，孔壁在２５℃测得的储能模量为１０－６０ＭＰａ，所述次要孔组位于所述孔壁内，所述次要孔组的平均孔径为５－３０μｍ，所述多孔抛光层固定于聚合膜或片状基片，或者成形为织造结构或非织造结构，以形成抛光垫。

【技术特征摘要】
US 2009-9-28 12/586,8591.一种可以用来对磁性基片、光学基片和半导体基片中的至少一种进行抛光的抛光 垫，所述抛光垫包括多孔抛光层，所述多孔抛光层包括位于聚氨酯基质中的双孔隙率结构， 所述双孔隙率结构包括主要孔组和次要孔组，所述主要孔组具有孔壁，该孔壁的厚度为 15-55 μ m，孔壁在25°C测得的储能模量为10_60MPa，所述次要孔组位于所述孔壁内，所述 次要孔组的平均孔径为5-30 μ m，所述多孔抛光层固定于聚合膜或片状基片，或者成形为织 造结构或非织造结构，以形成抛光垫。2.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述主要孔的平均直径至少为35μ m。3.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述孔壁的横截面的孔隙率为10-55%。4.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述孔壁的厚度等于所述小孔的平均孔 径的2-10倍。5.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述聚氨酯基质是不含表...

【专利技术属性】
技术研发人员：DB詹姆斯，H桑福德克兰，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]