成膜装置制造方法及图纸

一种成膜装置包括：成膜室（１１），在真空中将希望的膜成膜在基板（Ｗ）上；放入取出室（１３），经由第一开闭部（２５）被固定于所述成膜室（１１），并能将内部减压为真空气氛；第二开闭部（３６），设置在所述放入取出室（１３）的、与设置有所述第一开闭部（２５）的面相反的面上；以及托架（２１），以所述基板（Ｗ）的成膜面与重力方向大致平行的方式保持所述基板（Ｗ），所述托架或所述基板（Ｗ）通过所述第二开闭部（３６）被搬入、搬出所述放入取出室（１３），在所述放入取出室（１３）中并列配置多个所述托架（２１），在所述放入取出室（１３）与所述成膜室（１１）之间所述多个托架（２１）被并列地搬入或搬出，在所述成膜室（１１）中对保持在所述多个托架（２１）上的多个所述基板（Ｗ）同时进行成膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及成膜装置。本申请基于2008年6月6日申请的特愿2008-149938号主张优先权，在此援用其 内容。
技术介绍
现在的太阳能电池所使用的材料中，被单晶Si型和多晶Si型材料占据大半，人们 担心Si的材料不足等。因此，近年来，制造成本低且材料不足的风险小、形成有薄膜Si层的薄膜太阳能 电池的需求升高。进一步，在仅具有现有型a-Si (非晶硅)层的现有的薄膜太阳能电池的基础上，最 近通过层积a-Si层与μ C-Si (微晶硅)层而实现转换效率提高的叠层型薄膜太阳能电池 的需求升高。这种薄膜太阳能电池的薄膜Si层(半导体层)的成膜工序中，多使用等离子体 CVD装置。作为等离子体CVD装置，已知有群集式PE-CVD(等离子体CVD)装置、线列型 PE-CVD装置、批次式PE-CVD装置等。如果考虑薄膜太阳能电池的转换效率，作为上述叠层型太阳能电池的μ c-Si层 的膜厚，与a-Si层相比较需要确保约5倍左右的膜厚(1. 5 μ m左右)。另外，为了获得 μ c-Si层需要均勻地形成优质的微晶层，增加成膜速度来形成微晶层是有成膜工序的界限 的。因此，例如要求增加批处理数，以使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜装置，其特征在于，包括：成膜室，在真空中将希望的膜成膜在基板上；放入取出室，经由第一开闭部被固定于所述成膜室，并能将内部减压为真空气氛；第二开闭部，设置在所述放入取出室的、与设置有所述第一开闭部的面相反的面上；以及托架，以所述基板的成膜面与重力方向大致平行的方式保持所述基板，所述托架或所述基板通过所述第二开闭部被搬入、搬出所述放入取出室，在所述放入取出室中并列配置多个所述托架，在所述放入取出室与所述成膜室之间所述多个托架被并列地搬入、搬出，在所述成膜室中对保持在所述多个托架上的多个所述基板同时进行成膜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水康男，小形英之，松本浩一，野口恭史，若森让治，冈山智彦，森冈和，杉山哲康，重田贵司，栗原広行，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]