显示器及其薄膜晶体管阵列基板与薄膜晶体管制造技术

技术编号:5073840 阅读:170 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术是有关于一种显示器及其薄膜晶体管阵列基板与薄膜晶体管。该显示器,包括薄膜晶体管阵列基板、透光电极基板及配置于两者之间的显示介质层。薄膜晶体管阵列基板包括多个具有氧化物半导体层的薄膜晶体管,其中薄膜晶体管的栅极与栅绝缘层分别配置于基板上,且栅绝缘层覆盖住栅极。氧化物半导体层共形地覆盖于栅绝缘层上,并具有位在栅极上方的通道区。薄膜晶体管的源极与漏极分别配置于氧化物半导体层上,并位于通道区的两侧。由于氧化物半导体层的材质为可透光材质,因此在此显示器的制造工艺中,可省略氧化物半导体层的图案化制造工艺,以节省制造工艺成本并缩短制造工艺时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种显示装置,特别是涉及一种具有不会因照光而产生漏电流之薄膜 晶体管的显示器及其薄膜晶体管阵列基板与薄膜晶体管
技术介绍
反射式显示器是利用经过反射的入射光线做为显示器显示画面的光源。由于反射 式显示器不需要配置背光光源,使得元件的耗电量(powerconsumption)降低,且整个显示 器在设计上可以较为轻薄,因此近年来已在显示器产业中受到高度重视。另一方面,目前的显示器大多可依其驱动元件而分为有源与无源。一般有源显 示器大多是以薄膜晶体管作为驱动元件,且由于非晶硅薄膜晶体管(amorphous silicon thin film transistor, a-Si TFT)的制造工艺简单,价格低廉,因此目前多以非晶硅薄膜 晶体管作为有源显示器的驱动元件。图1为公知有源显示器之单一像素中薄膜晶体管阵列基板的剖面示意图。请参照 图1,在薄膜晶体管阵列基板100的制造工艺中,系先在基板102上形成栅极104,接着再形 成覆盖住栅极104的栅绝缘层106。之后,在栅绝缘层106上形成非晶硅半导体层(图未 示)。由于非晶硅半导体层不透光,为了增加此像素的开口率(apert本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管,其特征在于包括:一栅极,配置于一第一基板上;一栅绝缘层,配置于该第一基板上并覆盖该栅极;一氧化物半导体层,共形地配置于该栅绝缘层上方,且该氧化物半导体层具有一通道区,位于该栅极上方;一源极,配置于该栅绝缘层上方,并位于该通道区的一侧;以及一漏极,配置于该栅绝缘层上方,并位于该通道区的另一侧。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:舒芳安陈礼廷王裕霖蓝纬洲林东亮
申请(专利权)人:元太科技工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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