【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及一种,其中将非晶态石英玻璃粉颗粒供 入反应区,该石英玻璃粉颗粒在该反应区中经加热并沉积在载体上。
技术介绍
已知许多用于制备高纯合成石英玻璃的方法,这些方法中,由含硅起始物质以 CVD-方法通过水解和/或氧化产生SiO2颗粒,并将该颗粒沉积于载体上。这些方法可区分 为外淀积法和内淀积法。外淀积法中是将SiO2颗粒施加到旋转载体的外侧。作为实例可 提及所谓的OVD-法(外侧气相沉积法)、VAD-法(气相轴向沉积法)或PECVD-法(等离 子体增强化学气相沉积法)。内淀积法的最熟知的实例是MCVD-法(改良型化学气相沉积 法),该方法中是在外加热的管子的内壁淀积SiO2颗粒。在火焰水解中,例如将蒸气形式的SiCl4与氧和氢一起供入燃烧器火焰中,在其中 经水解和氧化形成SiO2颗粒。将该SiO2颗粒淀积在沉积面上形成多孔的所谓的“烟灰体”, 在另一分开的方法步骤中通过烟灰体的玻璃化得到石英玻璃构件,或该SiO2颗粒在淀积于 沉积面上时直接经玻璃化制成石英玻璃构件(该方法也称为“直接玻璃化法”)。在通过火焰水解的CVD-淀积以及等离子体_辅助CVD-淀积中,从所用 ...
【技术保护点】
用于制备合成石英玻璃的外淀积方法,其中将非晶态石英玻璃粉颗粒(13)供入反应区(12),该非晶态石英玻璃粉颗粒(13)在反应区(12)中经加热并淀积在围绕旋转轴旋转的载体(10)外侧上,其特征在于,粒度至少为3μm的非晶态石英玻璃粉颗粒(13)与含硅起始物质(14)一起供入反应区(2)中,该含硅起始物质(14)在反应区(2)中转变成SiO↓[2]颗粒,该SiO↓[2]颗粒以与石英玻璃粉颗粒(13)一起共淀积的方式沉积在载体(10)上,以形成含SiO↓[2]层(11),其中该石英玻璃粉颗粒(13)占SiO↓[2]的重量份额为30%-95%。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:W韦德克,
申请(专利权)人:赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司,
类型:发明
国别省市:DE[]
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