【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种。
技术介绍
半导体制造工艺中，通过一系列的光刻、刻蚀、掺杂、薄膜沉积、平坦化以及 清洗等工艺在半导体晶片上形成具有各种功能的集成电路，其中，用于定义刻蚀或掺杂 区域的光刻工艺起着十分重要的作用。在光刻工艺中，首先，通过旋涂设备在半导体晶片上形成光刻胶层；然后，将 所述光刻胶层进行烘烤后置于曝光设备中，通过曝光工艺对所述光刻胶层进行曝光，以 将掩模板上的图案转移到光刻胶层中；接着，对曝光后的光刻胶层进行曝光后烘烤，并 通过显影工艺进行显影，在光刻胶层中形成光刻图形。一般的，用以形成光刻胶层的涂布方法包括如下步骤首先，需要将半导体晶片放置于旋涂设备的晶片支撑台上，通过真空吸附所述 半导体晶片；然后，将光刻胶喷头移动至所述半导体晶片的上方，所述半导体晶片处于静止 状态，所述光刻胶喷头向所述半导体晶片表面喷洒光刻胶；接着，通过马达驱动所述晶片支撑台旋转，所述晶片支撑台带动所述半导体晶 片以较小的速率旋转，使光刻胶沿所述半导体晶片表面向外铺开，并覆盖整个半导体晶 片的表面；最后，以较大的速率继续旋转所述半导体晶片，使多余的...
【技术保护点】
一种涂层材料的涂布方法，包括：提供半导体晶片；向所述半导体晶片表面喷洒涂层材料；旋转所述半导体晶片以在所述半导体晶片表面形成涂层，其中所述半导体晶片边缘区域的涂层厚度比中央区域的涂层厚度大；继续旋转所述半导体晶片，同时向所述半导体晶片边缘区域的部分区域喷洒清洗液；再次旋转所述半导体晶片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：章国伟，张尔飚，吴欣华，刘贵娟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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