接触孔的形成方法和接触插塞的形成方法技术

本发明专利技术提供一种接触孔的形成方法和接触插塞的形成方法。所述接触孔的形成方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底上具有器件层、所述器件层上的刻蚀停止层、所述刻蚀停止层上的金属前介质层，以及所述金属前介质层上的具有接触孔图案的掩膜层，器件层的有源区表面具有金属硅化物层；在掩膜层的遮挡下刻蚀金属前介质层，以露出刻蚀停止层；去除刻蚀停止层而形成接触孔；其中，去除刻蚀停止层的步骤包括：利用第一压力进行刻蚀，以基本去除所述刻蚀停止层；利用第二压力进行刻蚀，以促使金属硅化物层表面的杂质挥发；所述第一压力大于第二压力。采用所述方法能够改善连接Ｎ型有源区的接触插塞电阻分布特性，提高器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种接触孔的形成方法和接触插塞的 形成方法。
技术介绍
在集成电路制造过程中，为了将底层的CMOS等半导体器件与上层的金属互连层 连接，一般需要在第一层金属互连层与半导体器件层之间的金属前介质层中刻蚀接触孔， 然后在该接触孔中填充钨、铝或铜等金属以形成接触插塞(contact)。通常上述接触插塞经过以下过程形成首先，在金属前介质层内刻蚀接触孔，以 暴露出有源区表面的金属硅化物接触层，接着采用化学气相淀积技术(Chemical Vapor Deposition,CVD)在所述接触孔中淀积钨膜层，而后进行退火处理以降低钨膜层的电阻，最 后采用化学机械研磨技术(ChemicalMechanical Planarization, CMP)将表面平坦化并去 除多余的金属钨，形成接触插塞。例如，申请号为JP2006-282100的日本专利申请公开了一种半导体装置的制造方 法，该方法形成钨插塞结构的工艺中，首先形成接触孔并在接触孔内形成阻挡层，接着以 WF6气体和SiH4气体(或B2H6气体)为反应气体，采用CVD法在接触孔内的阻挡层(通常为 TiN)上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接触孔的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上具有器件层、所述器件层上的刻蚀停止层、所述刻蚀停止层上的金属前介质层，以及所述金属前介质层上的具有接触孔图案的掩膜层，所述器件层的有源区表面具有金属硅化物层；在所述掩膜层的遮挡下刻蚀所述金属前介质层，以露出所述刻蚀停止层；去除所述刻蚀停止层，从而形成接触孔；其中，所述去除刻蚀停止层的步骤包括：利用第一压力进行等离子体刻蚀，以基本去除所述刻蚀停止层；利用第二压力进行等离子体刻蚀，以促使所述金属硅化物层表面的杂质挥发；其中，所述第一压力大于第二压力。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩秋华，韩宝东，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]