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本发明提供一种接触孔的形成方法和接触插塞的形成方法。所述接触孔的形成方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底上具有器件层、所述器件层上的刻蚀停止层、所述刻蚀停止层上的金属前介质层，以及所述金属前介质层上的具有接触孔图案的掩膜层，器件层的有源...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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