一种氮化硅电热元件制造技术

技术编号:5011622 阅读:221 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术为一种氮化硅电热元件,包括发热钨丝、电源引脚和扁平状的氮化硅基体,所述发热钨丝设于氮化硅基体内,并由氮化硅基体紧密包裹;所述电源引脚与发热钨丝连接并引出氮化硅基体外;其特征在于:所述发热钨丝的形状为螺旋环绕曲线,该螺旋环绕曲线的螺旋圈直径为0.5~0.8mm,所述发热钨丝螺旋环绕在电源引脚上并与电源引脚的一端连接。本实用新型专利技术具有发热效果好,安全可靠的特点。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电加热领域,特别涉及一种氮化硅电热元件
技术介绍
氮化硅电热元件由于热效率高,电气安全性能好,升温快,因此广泛应用于即热式 电器领域。氮化硅电热元件由发热钨丝、钼丝和氮化硅基体组成,发热钨丝作为发热源放置 在氮化硅基体内,钼丝作为引出极与发热钨丝连接并引出氮化硅基体。由于发热钨丝对氮 化硅电热元件的发热效果具有重大的影响,因此发热鸨丝的形状和排布方式,以及发热鸨 丝本身的规格选择是本领域技术的难点。 中国专利公开号为CN2376695Y,名称为"漏电安全型氮化硅发热体"的专利说明书 公开了一种氮化硅电热元件的发热鸨丝技术。该技术中发热鸨丝和钼丝在说明书附图中显 示为水平弯折曲线,钨丝和钼丝的直径为0. 01-0. 5mm,该技术的技术目的是提高发热体的 可靠性和漏电安全性,因为当发热体断裂时,上述直径的钨丝横截面暴露在空气中能瞬间 氧化,该氧化绝缘保护层可以起到漏电保护作用。现有技术的局限性在于钨丝和钼丝为水 平布置,使发热元件本身易折断,而且钨丝与氮化硅电热元件的接触不紧密,容易导致发热 不均匀,产生局部过热。另外钨丝与钼丝为点接触,接触端的电阻不均匀,也容易产生局部 过热。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足,提供一种发热效果好且安全耐用的 氮化硅电热元件。 —种氮化硅电热元件,包括发热钨丝、电源引脚和扁平状的氮化硅基体,所述发热钨丝设于氮化硅基体内,并由氮化硅基体紧密包裹;所述电源引脚与发热钨丝连接并引出氮化硅基体外;所述发热钨丝的形状为螺旋环绕曲线,该螺旋环绕曲线的螺旋圈直径为0. 5 0. 8mm,所述发热鸨丝螺旋环绕在电源引脚上并与电源引脚的一端连接。 本技术的发热钨丝为螺旋环绕的曲线,并且曲线的圈径为0. 5 0. 8mm,实验表明,当氮化硅基体通过高温、高压工艺压紧发热丝时,圈径为0. 5 0. 8mm的螺旋环绕的曲线与氮化硅基体的接触最为紧密。螺旋环绕的发热丝增加发热长度,而且温度传导更加均匀。又因为发热丝与氮化硅基体接触效果好,也增加了发热体的强度。另外为了保证发热鸨丝与电源引脚连接的均匀性,防止由于连接处电阻不均匀导致的温度过热,所述发热 钨丝螺旋环绕在电源引脚上与电源引脚相连接,这样的连接为多点连接而不是单点连接,克服了现有技术的安全隐患。 为了能实现漏电保护效果,使得当发热体断裂时钨丝横截面暴露在空气中能瞬间 氧化,从而产生保护膜防止漏电,本技术的发热钨丝的直径范围为0. 12 0. 18mm,该 范围的技术效果在于保证发热丝与发热体一起折断,同时发热丝能更加迅速形成氧化保护膜。 为了增加发热效果,延长发热丝有效发热长度,所述发热钨丝的螺旋环绕中线在 氮化硅基体内呈曲线均匀分布,该曲线包括1 3个连续的U形弯曲。 为了增加引出端口间的距离,所述电源引脚与发热钨丝连接端的间距小于其引出 端的间距。 本技术与现有技术相比具有如下有益效果本技术的发热钨丝为螺旋环 绕的曲线,并且曲线的圈径为0. 5 0. 8mm,实验表明,当氮化硅基体通过高温、高压工艺压 紧发热丝时,该尺寸结构下的发热丝与氮化硅基体的接触最为紧密,而且其加热的效率高 同时温度传导更加均匀。又因为发热丝与氮化硅基体接触效果好,同时也增加了发热体的 强度。为了保证发热钨丝与电源引脚连接的均匀性,防止由于连接处电阻不均匀导致的温 度过热,所述发热钨丝螺旋环绕在电源引脚上与电源引脚相连接,这样的连接为多点连接 而不是单点连接,克服了现有技术的安全隐患。附图说明图1为本技术的发热钨丝与电源引线结构示意图; 图2为本技术的内部结构示意图。具体实施方式如图l图2所示,一种氮化硅电热元件,包括发热钨丝1、电源引脚2和扁平状的氮 化硅基体3,所述发热鸨丝1设于氮化硅基体3内,并由氮化硅基体3紧密包裹,所述电源引 脚2与发热钨丝1连接并引出氮化硅基体3外,所述发热钨丝1为螺旋环绕的曲线,该螺旋 环绕的圈径为0. 5 0. 8mm,优选为0. 6mm。所述发热钨丝1的直径范围为0. 12 0. 18mm, 优选为O. 13mm。所述发热鸨丝1的螺旋环绕中线为具有3个连续U行弯曲的,呈蛇形分布 的曲线,所述发热钨丝1螺旋环绕在电源引脚2上与电源引脚2相连接。所述电源引脚2 与发热钨丝1连接端的间距小于其引出端的间距。 本技术的发热鸨丝1为螺旋环绕的曲线,曲线的圈径为0. 5 0. 8mm,实验表 明,当氮化硅基体通过高温、高压工艺压紧发热丝时,这种结构下的发热丝与氮化硅基体的 接触最为紧密。螺旋环绕的发热丝增加发热长度,而且温度传导更加均匀。又因为发热丝 与氮化硅基体接触效果好,也增加了发热体的强度。为了保证发热钨丝1与电源引脚2连 接的均匀性,防止由于连接处电阻不均匀导致的温度过热,所述发热鸨丝1螺旋环绕在电 源引脚2上与电源引脚2相连接,这样的连接为多点连接而不是单点连接,克服了现有技术 的安全隐患。权利要求一种氮化硅电热元件,包括发热钨丝、电源引脚和扁平状的氮化硅基体,所述发热钨丝设于氮化硅基体内,并由氮化硅基体紧密包裹;所述电源引脚与发热钨丝连接并引出氮化硅基体外;其特征在于所述发热钨丝的形状为螺旋环绕曲线,该螺旋环绕曲线的螺旋圈直径为0.5~0.8mm,所述发热钨丝螺旋环绕在电源引脚上并与电源引脚的一端连接。2. 根据权利要求1所述的氮化硅电热元件,其特征在于所述发热钨丝的丝直径范围为0. 12 0. 18mm。3. 根据权利要求1所述的氮化硅电热元件,其特征在于所述发热钨丝的螺旋环绕轴线在氮化硅基体内呈曲线均匀分布,所述曲线包括若干个连续的U形弯曲。4. 根据权利要求3所述的氮化硅电热元件,其特征在于所述U形弯曲有1 3个。5. 根据权利要求1 4任一项所述的氮化硅电热元件,其特征在于所述电源引脚与发热鸨丝连接端的间距小于其引出端的间距。专利摘要本技术为一种氮化硅电热元件,包括发热钨丝、电源引脚和扁平状的氮化硅基体,所述发热钨丝设于氮化硅基体内,并由氮化硅基体紧密包裹;所述电源引脚与发热钨丝连接并引出氮化硅基体外;其特征在于所述发热钨丝的形状为螺旋环绕曲线,该螺旋环绕曲线的螺旋圈直径为0.5~0.8mm,所述发热钨丝螺旋环绕在电源引脚上并与电源引脚的一端连接。本技术具有发热效果好,安全可靠的特点。文档编号H05B3/28GK201491296SQ200920195179公开日2010年5月26日 申请日期2009年9月22日 优先权日2009年9月22日专利技术者不公告专利技术人 申请人:广州成昌陶瓷制品有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化硅电热元件,包括发热钨丝、电源引脚和扁平状的氮化硅基体,所述发热钨丝设于氮化硅基体内,并由氮化硅基体紧密包裹;所述电源引脚与发热钨丝连接并引出氮化硅基体外;其特征在于:所述发热钨丝的形状为螺旋环绕曲线,该螺旋环绕曲线的螺旋圈直径为0.5~0.8mm,所述发热钨丝螺旋环绕在电源引脚上并与电源引脚的一端连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人
申请(专利权)人:广州成昌陶瓷制品有限公司
类型:实用新型
国别省市:81[中国|广州]

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