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一种氮化硅电热元件制造技术

技术编号:3712050 阅读:302 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种氮化硅电热元件,包括氮化硅基体的热端和氮化硅基体的冷端,氮化硅基体内设有发热源,发热源连接电源引脚,氮化硅电热元件呈扁平状,氮化硅基体的总长L为90mm,氮化硅基体的宽度W为15mm,氮化硅基体的高度H为3.5~4mm,氮化硅基体内的发热源采用白钨丝。本实用新型专利技术氮化硅电热元件体积小,从根本上减少了原材料的用量,节约成本;氮化硅电热元件不进行倒角,使得边角的原材料得以利用,节约电能;氮化硅电热元件规格变小,使得后续电子产品的安装如热水器、淋浴器等灵活方便;且发热源采用白钨丝,氮化硅电热元件寿命长。(*该技术在2018年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电加热
中的氮化硅电热元件。技术背景氮化硅电热元件由于热效率高,电气安全性好,升温速度快,耐高温耐腐 蚀,寿命长,因此得到了十分广泛的运用。传统的氮化硅电热元件中的氮化硅 基体通常体积较大,导致了原材料用量大,生产成本高;且氮化硅基体各顶角 经过倒角后对氮化硅基体形成了浪费,也影响了发热量。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于提供一种氮化硅电热元件,可以有效 解决现有氮化硅基体通常体积较大,使得原材料用量大,生产成本高的问题。为了解决上述技术问题,本技术采用如下技术方案 一种氮化硅电热 元件,其特征在于包括氮化硅基体的热端和氮化硅基体的冷端,氮化硅基体 内设有发热源,发热源连接电源引脚,氮化硅电热元件呈扁平状,氮化硅基体 的总长L为90腿,氮化硅基体的宽度W为15mm,氮化硅基体的高度H为3. 5 4腿。进一步的,氮化硅基体的高度H为3.6mm。 进一步的,氮化硅基体内的发热源采用白钨丝。本技术由于采用了上述技术方案,氮化硅电热元件体积小,从根本上 减少了原材料的用量,节约成本;氮化硅电热元件不进行倒角,使得边角的原 材料得以利用,节约电能;氮化硅电热元件规格变小,使得后续电子产品的安 装如热水器、淋浴器等灵活方便;且发热源采用白钨丝,氮化硅电热元件寿命 长。白钨丝作为发热源通电后发热,将电能转变成热能,氮化硅基体既是绝缘 体又是传热介质,可直接与水或其它被加热液体接触,热效率高,安全节能。附图说明以下结合附图对本技术作进一步说明图1为本技术一种氮化硅电热元件的结构示意图;图2为图1中的仰视图;图3为本技术一种氮化硅电热元件的立体示意图。具体实施方式如图1至图3所示,为本技术一种氮化硅电热元件的实施例,包括氮 化硅基体1的热端11和氮化硅基体1的冷端12,氮化硅基体1内设有发热源, 发热源连接电源引脚2,氮化硅电热元件呈扁平状,氮化硅基体的总长L为90mm, 氮化硅基体的宽度W为15,,氮化硅基体的高度H为3. 5 4匪,优选的氮化硅 基体的高度采用3.6mm,氮化硅基体内发热源采用白钨丝,氮化硅基体1的热端 ll用于产生热量,冷端12用于安装。本技术氮化硅电热元件体积小,从根 本上减少了原材料的用量,节约成本;氮化硅电热元件不进行倒角,使得边角 的原材料得以利用,节约电能;氮化硅电热元件规格变小,使得后续电子产品的安装如热水器、淋浴器等灵活方便;且发热源采用白钨丝,氮化硅电热元件 寿命长。白钨丝作为发热源通电后发热,将电能转变成热能,氮化硅基体既是 绝缘体又是传热介质,可直接与水或其它被加热液体接触,热效率高,安全节能。本技术可以制成500W 3500W各种规格的产品。权利要求1、一种氮化硅电热元件,其特征在于包括氮化硅基体(1)的热端(11)和氮化硅基体(1)的冷端(12),所述氮化硅基体(1)内设有发热源,发热源连接电源引脚(2),氮化硅电热元件呈扁平状,所述氮化硅基体(1)的总长L为90mm,所述氮化硅基体(1)的宽度W为15mm,所述氮化硅基体(1)的高度H为3.5~4mm。2、 根据权利要求l所述的氮化硅电热元件,其特征在于所述氮化硅基体(l)的高度H为3. 6mm。3、 根据权利要求l所述的氮化硅电热元件,其特征在于所述氮化硅基体(l) 内的发热源采用白钨丝。专利摘要本技术公开了一种氮化硅电热元件,包括氮化硅基体的热端和氮化硅基体的冷端,氮化硅基体内设有发热源,发热源连接电源引脚,氮化硅电热元件呈扁平状,氮化硅基体的总长L为90mm,氮化硅基体的宽度W为15mm,氮化硅基体的高度H为3.5~4mm,氮化硅基体内的发热源采用白钨丝。本技术氮化硅电热元件体积小,从根本上减少了原材料的用量,节约成本;氮化硅电热元件不进行倒角,使得边角的原材料得以利用,节约电能;氮化硅电热元件规格变小,使得后续电子产品的安装如热水器、淋浴器等灵活方便;且发热源采用白钨丝,氮化硅电热元件寿命长。文档编号H05B3/14GK201174786SQ20082008524公开日2008年12月31日 申请日期2008年3月28日 优先权日2008年3月28日专利技术者周祥林, 赵志伟 申请人:周祥林本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化硅电热元件,其特征在于:包括氮化硅基体(1)的热端(11)和氮化硅基体(1)的冷端(12),所述氮化硅基体(1)内设有发热源,发热源连接电源引脚(2),氮化硅电热元件呈扁平状,所述氮化硅基体(1)的总长L为90mm,所述氮化硅基体(1)的宽度W为15mm,所述氮化硅基体(1)的高度H为3.5~4mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:周祥林赵志伟
申请(专利权)人:周祥林
类型:实用新型
国别省市:33[中国|浙江]

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