湿法处理机台制造技术

技术编号:5007664 阅读:325 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种湿法处理机台,在晶舟授台上靠近晶舟两侧的位置上下分别安装一组对射传感器,每组对射传感器的发射单元和接收单元分别安装在晶舟所置放的晶舟授台上及晶舟并拢初始位置上方的固定件上,当硅片倒下或斜出时,传感器对射光线被遮挡,传感器的输出电压将发生变化。在控制系统的并拢信号输出端到并拢汽缸中间加入并拢信号传递控制逻辑电路,利用对射传感器的输出电压的变化截取控制系统向并拢汽缸发送的并拢信号,实现在晶舟并拢前检测晶舟上的硅片是否有倒片,当有倒片时机械手将不搬送晶舟到处理槽进行处理,还可以同时给出报警,避免撞碎倒片。?(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体工艺装置,特别涉及一种湿法处理机台
技术介绍
湿法处理机台是半导体工艺中常用的工艺装置,通常包括片盒承载台、硅片授台 和硅片夹具、平移汽缸、并拢汽缸、晶舟授台、晶舟并拢初始位置传感器、晶舟并拢目标位置 传感器、晶舟、机械手、处理槽及PLC (Program Logic Controler)控制系统等部分。片盒承 载台用于放置片盒,晶舟置于晶舟授台之上。首先如图l所示,硅片授台和硅片夹具将硅片 从片盒承载台上的片盒中传送至位于硅片接受位置的晶舟授台12上的晶舟上;然后如图2 所示,PLC (Program Logic Controler)控制系统控制平移汽缸驱动晶舟授台12移动从而 将各晶舟从硅片接受位置移动到晶舟并拢初始位置,各晶舟授台移动到晶舟并拢初始位置 后,晶舟并拢初始位置传感器13发送并拢初始位置到达信号到PLC控制系统;然后如图3、 图4所示,PLC控制系统收到并拢初始位置到达信号后向并拢汽缸2发并拢信号l,并拢汽 缸2收到并拢信号1后驱动晶舟授台12移动从而将各晶舟从晶舟并拢初始位置移动到晶 舟并拢目标位置,各晶舟移动到晶舟并拢目标位置后,晶舟并拢目标位置传感器14发送并 拢目标位置到达信号到PLC控制系统;PLC控制系统收到并拢目标位置到达信号后,再控制 机械手搬送晶舟进到处理槽11进行处理。 在工艺过程中,湿法处理机台需要将一个批次的硅片通过硅片授台和硅片夹具从 片盒承载台上的片盒中传送至硅片接受位置的晶舟授台12上的晶舟5上,在由片盒传至晶 舟的过程中,硅片4需要经过硅片授台和硅片夹具等多次搬送才能被传送到晶舟5上,由于 片盒中的硅片的中间间隔较小,硅片授台和硅片夹具上的卡槽位置的必须相当精确才能保 证各枚硅片的正常搬送,硅片授台和硅片夹具受到人工调校的误差或者使用磨损导致的卡 槽尺寸变化等的影响,容易导致硅片无法正常卡进晶舟上的卡槽而出现叠片或倒片41 (倾 倒的硅片)的现象,如图5所示,其中倒片41将造成机械手抓取晶舟5时直接撞碎硅片4。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种湿法处理机台,能防止机械手搬送晶舟 进到处理槽进行处理时撞碎倒片。 为解决上述技术问题,本技术的湿法处理机台,包括并拢汽缸、晶舟授台、晶 舟并拢初始位置传感器、晶舟并拢目标位置传感器、晶舟、机械手、处理槽及控制系统;晶 舟置于晶舟授台之上,并拢汽缸驱动晶舟授台在晶舟并拢初始位置及晶舟并拢目标位置间 移动,各晶舟授台从硅片接受位置移动到晶舟并拢初始位置后,晶舟并拢初始位置传感器 发送并拢初始位置到达信号到控制系统,控制系统收到并拢初始位置到达信号后发并拢信 号,并拢汽缸收到并拢信号后驱动晶舟授台移动从而将各晶舟从晶舟并拢初始位置移动到 晶舟并拢目标位置,各晶舟移动到晶舟并拢目标位置后,晶舟并拢目标位置传感器发送并 拢目标位置到达信号到控制系统,控制系统收到并拢目标位置到达信号后,再控制机械手3搬送晶舟到处理槽进行处理;其特征在于,还包括多组对射传感器、一并拢信号传递控制 逻辑电路,一组对射传感器的发射单元同接收单元位置不相对应时接收单元不能接收到发 射单元的信号,置于晶舟授台之上的每一晶舟左右两侧的上下位置分别安装一组对射传感 器,每组对射传感器的发射单元和接收单元分别安装在晶舟所置放的晶舟授台上及晶舟并 拢初始位置上方的固定件上,当晶舟授台位于晶舟并拢初始位置时,各组射传感器的发射 单元和接收单元位置相对应;各组对射传感器的输出及控制系统的并拢信号输出端接所述 并拢信号传递控制逻辑电路,所述并拢信号传递控制逻辑电路的输出接并拢汽缸控制信号 接受端,当各组对射传感器接收单元都接收到发射单元的信号时,所述并拢信号传递控制 逻辑电路输出控制系统的并拢信号到并拢汽缸控制信号接受端,当任何一组对射传感器接 收单元接收不到发射单元的信号时,所述并拢信号传递控制逻辑电路迟延一设定时间断开 控制系统到并拢汽缸的并拢信号。 —组对射传感器接收单元接收不到发射单元的信号时输出高电平,接收到发射单元的信号时输出低电平,所述并拢信号传递控制逻辑电路包括多个继电器及一个延时上电继电器,所述多个继电器的继电器线圈一端分别接多组对射传感器的输出端,另一端同接高电平,所述多个继电器的常闭触点一端同接接低电平,另一端同接所述延时上电继电器的继电器线圈一端,所述延时上电继电器的继电器线圈另一端接高电平,所述延时上电继电器的常闭触点一端接控制系统的并拢信号输出端,另一端接并拢汽缸控制信号接受端。 本技术的湿法处理机台,在晶舟授台上靠近晶舟两侧的位置上下分别安装一组对射传感器,每组对射传感器的发射单元和接收单元分别安装在晶舟所置放的晶舟授台上及晶舟并拢初始位置上方的固定件上,当硅片倒下或斜出时,传感器对射光线被遮挡,传感器的输出电压将发生变化。在控制系统的并拢信号输出端到并拢汽缸中间加入并拢信号传递控制逻辑电路,利用对射传感器的输出电压的变化截取控制系统向并拢汽缸发送的并拢信号,实现在晶舟并拢前检测晶舟上的硅片是否有倒片,当有倒片时机械手将不搬送晶舟到处理槽进行处理,还可以同时给出报警,避免撞碎倒片。以下结合附图及具体实施方式对本技术作进一步详细说明。 附图说明图1是常见湿法处理机台的晶舟位于装载硅片位置示意图; 图2是常见湿法处理机台的晶舟位于晶舟并拢初始位置示意图; 图3是常见湿法处理机台的晶舟位于晶舟并拢目标位置示意图; 图4是常见的湿法处理机台的PLC控制系统发送并拢信号到并拢汽缸示意图; 图5是湿法处理机台晶舟中出现倒片示意图; 图6是本技术的湿法处理机台一实施方式安装对射传感器示意图; 图7是本技术的湿法处理机台一实施方式对射传感器检测到倒片示意图; 图8是本技术的湿法处理机台一实施方式并拢信号传递控制逻辑电路; 图9是本技术的湿法处理机台一实施例并拢信号传递控制逻辑电路; 图10是本技术的湿法处理机台一实施方式晶舟授台位于硅片接受位置示意 图; 图11是本技术的湿法处理机台一实施方式晶舟授台位于晶舟并拢初始位置示意图; 图12是本技术的湿法处理机台一实施方式晶舟授台位于晶舟并拢目标位置 示意图。具体实施方式本技术的湿法处理机台一实施方式,包括片盒承载台、硅片授台和硅片夹具、 平移汽缸、并拢汽缸、晶舟授台、晶舟并拢初始位置传感器、晶舟并拢目标位置传感器、晶 舟、机械手、处理槽及PLC (Program LogicControler)控制系统等部分,还包括多组对射传 感器、一并拢信号传递控制逻辑电路,一组对射传感器的发射单元同接收单元位置不相对 应时接收单元不能接收到发射单元的信号。 硅片授台和硅片夹具用于将片盒承载台上的片盒中的硅片传送至位于硅片接受 位置的晶舟授台上的晶舟上;PLC控制系统能控制平移汽缸驱动晶舟授台在硅片接受位置 和晶舟并拢初始位置间移动,能控制并拢汽缸在晶舟并拢初始位置和晶舟并拢目标位置间 移动,各晶舟授台在平移汽缸驱动下从硅片接受位置移动到晶舟并拢初始位置时,晶舟并 拢初始位置传感器发送并拢初始位置到达信号到PLC控制系统,PLC控制系统收到并拢初 始位置到达信号后发并拢信号到并拢信号传递控制逻辑电路,并拢信号传递控制逻本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种湿法处理机台,包括并拢汽缸、晶舟授台、晶舟并拢初始位置传感器、晶舟并拢目标位置传感器、晶舟、机械手、处理槽及控制系统;晶舟置于晶舟授台之上,并拢汽缸驱动晶舟授台在晶舟并拢初始位置及晶舟并拢目标位置间移动,各晶舟授台从硅片接受位置移动到晶舟并拢初始位置后,晶舟并拢初始位置传感器发送并拢初始位置到达信号到控制系统,控制系统收到并拢初始位置到达信号后发并拢信号,并拢汽缸收到并拢信号后驱动晶舟授台移动从而将各晶舟从晶舟并拢初始位置移动到晶舟并拢目标位置,各晶舟移动到晶舟并拢目标位置后,晶舟并拢目标位置传感器发送并拢目标位置到达信号到控制系统,控制系统收到并拢目标位置到达信号后,再控制机械手搬送晶舟到处理槽进行处理;其特征在于,还包括多组对射传感器、一并拢信号传递控制逻辑电路,一组对射传感器的发射单元同接收单元位置不相对应时接收单元不能接收到发射单元的信号,置于晶舟授台之上的每一晶舟左右两侧的上下位置分别安装一组对射传感器,每组对射传感器的发射单元和接收单元分别安装在晶舟所置放的晶舟授台上及晶舟并拢初始位置上方的固定件上,当晶舟授台位于晶舟并拢初始位置时,各组射传感器的发射单元和接收单元位置相对应;各组对射传感器的输出及控制系统的并拢信号输出端接所述并拢信号传递控制逻辑电路,所述并拢信号传递控制逻辑电路的输出接并拢汽缸控制信号接受端,当各组对射传感器接收单元都接收到发射单元的信号时,所述并拢信号传递控制逻辑电路输出控制系统的并拢信号到并拢汽缸控制信号接受端,当任何一组对射传感器接收单元接收不到发射单元的信号时,所述并拢信号传递控制逻辑电路迟延一设定时间断开控制系统到并拢汽缸的并拢信号。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:梁顺远董锐张传民
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:31[中国|上海]

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