湿法处理机台制造技术

本实用新型专利技术公开了一种湿法处理机台，在晶舟授台上靠近晶舟两侧的位置上下分别安装一组对射传感器，每组对射传感器的发射单元和接收单元分别安装在晶舟所置放的晶舟授台上及晶舟并拢初始位置上方的固定件上，当硅片倒下或斜出时，传感器对射光线被遮挡，传感器的输出电压将发生变化。在控制系统的并拢信号输出端到并拢汽缸中间加入并拢信号传递控制逻辑电路，利用对射传感器的输出电压的变化截取控制系统向并拢汽缸发送的并拢信号，实现在晶舟并拢前检测晶舟上的硅片是否有倒片，当有倒片时机械手将不搬送晶舟到处理槽进行处理，还可以同时给出报警，避免撞碎倒片。？（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体工艺装置，特别涉及一种湿法处理机台。
技术介绍
湿法处理机台是半导体工艺中常用的工艺装置，通常包括片盒承载台、硅片授台 和硅片夹具、平移汽缸、并拢汽缸、晶舟授台、晶舟并拢初始位置传感器、晶舟并拢目标位置 传感器、晶舟、机械手、处理槽及PLC (Program Logic Controler)控制系统等部分。片盒承 载台用于放置片盒，晶舟置于晶舟授台之上。首先如图l所示，硅片授台和硅片夹具将硅片 从片盒承载台上的片盒中传送至位于硅片接受位置的晶舟授台12上的晶舟上；然后如图2 所示，PLC (Program Logic Controler)控制系统控制平移汽缸驱动晶舟授台12移动从而 将各晶舟从硅片接受位置移动到晶舟并拢初始位置，各晶舟授台移动到晶舟并拢初始位置 后，晶舟并拢初始位置传感器13发送并拢初始位置到达信号到PLC控制系统；然后如图3、 图4所示，PLC控制系统收到并拢初始位置到达信号后向并拢汽缸2发并拢信号l，并拢汽 缸2收到并拢信号1后驱动晶舟授台12移动从而将各晶舟从晶舟并拢初始位置移动到晶 舟并拢目标位置，各晶舟移动到晶舟并拢目标位置后，晶舟并拢目标本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种湿法处理机台，包括并拢汽缸、晶舟授台、晶舟并拢初始位置传感器、晶舟并拢目标位置传感器、晶舟、机械手、处理槽及控制系统；晶舟置于晶舟授台之上，并拢汽缸驱动晶舟授台在晶舟并拢初始位置及晶舟并拢目标位置间移动，各晶舟授台从硅片接受位置移动到晶舟并拢初始位置后，晶舟并拢初始位置传感器发送并拢初始位置到达信号到控制系统，控制系统收到并拢初始位置到达信号后发并拢信号，并拢汽缸收到并拢信号后驱动晶舟授台移动从而将各晶舟从晶舟并拢初始位置移动到晶舟并拢目标位置，各晶舟移动到晶舟并拢目标位置后，晶舟并拢目标位置传感器发送并拢目标位置到达信号到控制系统，控制系统收到并拢目标位置到达信号后，再控制机械手搬送晶舟...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁顺远，董锐，张传民，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]