【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种清除金属氧化物与制备互连层的方 法。
技术介绍
为了在有限的晶圆表面上形成足够的金属内连线，以配合日趋精密且复杂的集成 电路的发展需求，在晶圆上制作两层以上的金属层，已成为半导体发展的常规技术。为了使相邻两层金属层之间有良好的隔离效果，在制备第二层金属层之前，应先 在第一层金属层上形成阻挡层，例如SiCN。请参阅图1，图1为现有技术的互连层的部分结构示意图。在半导体衬底11上以 黑钻石(BD,Black Diamond)绝缘材料形成层间绝缘层(IMD, Intermetal Dielectric) 12。 在所述层间绝缘层12上形成开口并填充金属，形成金属层131、132。在金属层131、132和 层间绝缘层12上形成阻挡层14。所述金属层131，132的材质可以是铜。所述阻挡层14的 材质可以是氮碳化硅。在形成所述阻挡层14之前，需对金属层131、132进行化学机械抛光(CMP)，以保 证去除多余的金属且使金属层的表面平坦化。以金属层131、132的材质是铜为例，金属层 131、132经化学机械抛光后，暴露于空气中。由...
【技术保护点】
一种清除金属氧化物的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有金属层，所述金属层上形成有金属氧化物；其特征在于，还包括以下步骤：通入第一气体，清除所述金属层和层间绝缘层上的金属氧化物，所述第一气体具有还原性。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王琪，周鸣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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