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本发明提供了一种清除金属氧化物的方法，所述金属氧化物形成于金属层和层间绝缘层上，包括以下步骤：通入第一气体，清除所述金属层和层间绝缘层上的金属氧化物，所述第一气体具有还原性。本发明还提供了一种制备互连层的方法。本发明能有效清除层间绝缘层和阻...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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