【技术实现步骤摘要】
本技术涉及直流电源，尤其是单晶硅炉用IGBT直流电源。
技术介绍
单晶硅生长炉(单晶硅炉)，目前广泛应用于单晶硅、单晶锗、单晶砷化镓等众多材料生产的使用，是生产太阳能光伏发电、电子工业及其他高科技行业原材料的重要设备。 目前单晶硅炉采用的主要是可控硅直流电源，其体积通常较大，其具有的大功率变压器功耗也很大，并且容易产生谐波污染。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种体积小、无谐波污染、比可控硅控制方式省电的单 晶硅炉用IGBT直流电源。 为实现上述目的，本技术采用的技术方案是 —种单晶硅炉用IGBT直流电源，其特别之处在于，包括其输入端与交流电源连接的桥式整流电路，该桥式整流电路的输出端通过LC滤波电路接高频逆变电路从而将经过整流滤波后的直流电逆变为交流电，该高频逆变电路的输出端与一高频变压器的输入端连接，该高频变压器的输出端通过整流电路与电感滤波电路连接从而供输出。 其中高频逆变电路是以IGBT为功率开关管的全桥逆变电路。 其中高频逆变电路逆变工作频率为20-25KHZ。 其中桥式整流电路中的二极管均为肖特基二极管。 其中高频变压器后端的整流电路为桥式整流电路。 进...
【技术保护点】
一种单晶硅炉用ＩＧＢＴ直流电源，其特征在于：包括其输入端与交流电源连接的桥式整流电路，该桥式整流电路的输出端通过ＬＣ滤波电路接高频逆变电路从而将经过整流滤波后的直流电逆变为交流电，该高频逆变电路的输出端与一高频变压器的输入端连接，该高频变压器的输出端通过整流电路与电感滤波电路连接从而供输出。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：毛家信，
申请(专利权)人：宁夏日晶电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：64[中国|宁夏]
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