【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种薄膜太阳能电池前电极的应用,特别是一种应用掺氟氧化锡(Sn02:F)透明导电膜作为电池前电极的薄膜太阳能电池。
技术介绍
晶体硅的前电极采用的是金属栅电极的设计方式,而薄膜电池由于厚度很薄,所以其横向电阻比较大,而太阳能电池的输出受到到达电极处的光生载流子数目的影响,因此薄膜太阳能电池的电极不能像晶体硅一样釆用栅电极的设计来收集光生载流子,而必须采用面接触的形式把载流子引出来。由于用于制作透明导电极的材料必须同时具有较底的电阻率和很高的可见光透过率,因此透明导电薄膜在薄膜太阳能电池的应用也越来越广泛。目前广泛采用的透明导电薄膜材料主要是氧化铟锡(ITO)和掺铝氧化锌(AZO),它们均具有稳定而良好的光电性能。氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜生产技术十分成熟,但由于受到原材料的制约,价格昂贵,不适合薄膜电池的产业化大面积应用,而且在强光下性能不稳定,致使其在薄膜电池的应用上,电池的光致衰退比较严重,所以大多情况下只能局限在室内弱光环境下使用。掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜性能稳定,在沉积过程中不会出现氢离子还原的情况,而且从原材料的角度来说,成本较低 ...
【技术保护点】
一种应用掺氟氧化锡的薄膜太阳能电池,包括玻璃衬底和金属背电极,其特征在于:所述的玻璃衬底上镀有掺氟氧化锡透明导电膜,所述掺氟氧化锡透明导电膜上沉积有薄膜太阳能电池功能层,所述的金属背电极通过溅射法制备在薄膜太阳能电池功能层上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:孙嵩泉,陈良范,张庆丰,夏筱红,李长浩,
申请(专利权)人:普乐新能源蚌埠有限公司,
类型:实用新型
国别省市:34[]
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