太阳能电池制造技术

本发明专利技术涉及一种太阳能电池，该太阳能电池包括一背电极、一单晶硅衬底和一碳纳米管结构。所述背电极设置于所述单晶硅衬底的下表面，且与该单晶硅衬底的下表面欧姆接触。所述碳纳米管结构设置于所述单晶硅衬底的上表面，且与该单晶硅衬底的上表面接触。该碳纳米管结构包括多个有序排列的碳纳米管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池，尤其涉及一种基于碳纳米管薄膜的太阳能电池。
技术介绍
太阳能是当今最清洁的能源之一，取之不尽、用之不竭。太阳能的利用方式包括光能-热能转换、光能-电能转换和光能-化学能转换。太阳能电池是光能-电能转换的典型例子，是利用半导体材料的光生伏特原理制成的。目前，太阳能电池以硅基太阳能电池为主。在硅基太阳能电池中，以单晶硅作为光电转换的材料，因此，要获得高转换效率的硅太阳能电池，就需要制备出高纯度的单晶硅。然而，目前单晶硅的制备工艺远不能满足太阳能电池发展的需要，并且制备单晶硅需要消耗大量的电能，这不但提高了硅太阳能电池的成本，并且对环境产生很大的污染。因此发展其他类型的太阳能电池就具有重要的战略意义。从1991年日本科学家Iijima首次发现碳纳米管以来(请参见Helicalmicrotubules of graphitic carbon, Nature, Sumio Iijima, vol 354, p56(1991》,以研究发现，碳纳米管具有很高的导电能力，且碳纳米管具有很高得吸收太阳光能力，其在可见光和红外光区的吸收率高达99%以上。因此，将碳纳米管应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，其包括：　一单晶硅衬底；　一背电极，该背电极设置于所述单晶硅衬底的下表面，且与该单晶硅衬底的下表面欧姆接触；　一碳纳米管结构，该碳纳米管结构设置于所述单晶硅衬底的上表面，且与该单晶硅衬底的上表面接触；　 　其特征在于，所述碳纳米管结构包括多个有序排列的碳纳米管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙海林，姜开利，李群庆，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]