一种晶体硅太阳能电池制造技术

本发明专利技术提供一种晶体硅太阳能电池，包括：ｐ型晶体硅的衬底，所述衬底上的ｎ型层，所述ｎ型层上的阴极；其中，所述阴极为透明导电膜，其功函数小于或等于４．２６ｅＶ。所述透明导电膜包括ＬａＢ６，其功函数的范围为２．６至３．０ｅＶ，所述透明导电膜的透光率为３５％至７０％。由于采用透明导电膜作为电池的阴极，有利于太阳光透过阴极入射至ｐｎ结，提高入射光的使用率从而将更多的光能转换为电能，而且，该透明导电膜的功函数至少不高于金属银的功函数，可以与ｎ型层形成良好的欧姆接触，从而提高电子的注入效率，因此，所述晶体硅太阳能电池具有更高的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池
，特别涉及一种晶体硅太阳能电池。
技术介绍
自1954年适于实用的太阳能电池问世以来，晶体硅太阳能电池一直在世界光伏 市场居统治地位，占太阳能电池总产量的80% 90%。近年来，随着晶体硅的原料成本降 低，预计这种优势地位在相当长一个时期之内，还将继续保持。为了不被具有更为廉价优势的薄膜太阳能电池所取代，晶体硅太阳能电池研发均 是紧紧围绕提高电池转换效率和降低电池成本两个方面展开。目前制约晶体硅太阳能电池 转换效率进一步提高的主要技术障碍包括①电池迎光面上栅线的遮光影响；②光传导的 损失；③电池界面的光反射损失；④电池表面及内部的复合损失等。改善甚至克服这些障 碍，能够有效的提高晶体硅太阳能电池的转换效率。图1为传统的晶体硅太阳能电池的结构示意图，如图所示，ρ型单晶硅为衬底1，衬 底1的上表面内形成有η型区2，与所述P型单晶硅的衬底构成ρη结3。η型区2表面(即 该电池的迎光面)上的栅状金属电极(栅线)4作为阴极，衬底1的背面(即该电池的背光 面)为金属背电极5。所述栅状金属电极4和金属背电极5分别与η型区2和ρ型的衬底 1形成欧姆接触。所述栅线4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括：ｐ型晶体硅的衬底，所述衬底上的ｎ型层，所述ｎ型层上的阴极；其中，所述阴极为透明导电膜，其功函数小于或等于４．２６ｅＶ。

【技术特征摘要】
一种晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括p型晶体硅的衬底，所述衬底上的n型层，所述n型层上的阴极；其中，所述阴极为透明导电膜，其功函数小于或等于4.26eV。2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述透明导电膜包括LaB6。3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述透明导电膜功函数的 范围为2. 6至3. OeV。4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述透明导电膜的透光率 为 35%至 70%。5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述透明导电膜将整个η型 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡立琼，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]