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本发明提供一种晶体硅太阳能电池，包括：ｐ型晶体硅的衬底，所述衬底上的ｎ型层，所述ｎ型层上的阴极；其中，所述阴极为透明导电膜，其功函数小于或等于４．２６ｅＶ。所述透明导电膜包括ＬａＢ６，其功函数的范围为２．６至３．０ｅＶ，所述透明导电膜的透光...该专利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。