本发明专利技术给出了一种立式PVD倾斜沉积硅片装载装置；包括基片架和至少一组掩膜托盘；每组掩膜托盘包括两个掩膜托盘，每个掩膜托盘设有若干覆膜区域，处于覆膜区域内的掩膜托盘反面侧壁开有契合基片轮廓的装配槽，处于覆膜区域内的掩膜托盘还开有与基片的镀膜区域吻合的镀膜通孔，装配槽下侧侧壁延伸有限位凸台；基片架上设有工位，处于工位内的基片架两侧分别固定连接有斜撑板，两个斜撑板的正面分别朝向基片架外侧，斜撑板的反面侧壁设有形成有容纳掩膜托盘的卡槽，斜撑板上开有遮罩孔，遮罩孔完全覆盖掩膜托盘的所有镀膜通孔。利用本立式PVD倾斜沉积硅片装载装置可以实现靶材同时向多片基片进行镀膜作业，并且同一区域内可以通过两片基片镀膜。过两片基片镀膜。过两片基片镀膜。
【技术实现步骤摘要】
立式PVD倾斜沉积硅片装载装置
[0001]本专利技术涉及一种立式PVD倾斜沉积硅片装载装置。
技术介绍
[0002]PVD物理气相沉积技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术，物理气相沉积是主要的表面处理技术之一。
[0003]大面积磁控溅射镀膜设备有卧式和立式两种主要模式。目前用于TOPCon的磁控溅射是主要卧式装备，这种装备的有点是硅片上料方便，采用下镀膜可利用载板进行掩膜。卧式硅片装载装置主要由以下缺点：(1)硅片容易掉落，造成靶短路；(2)占地面积大；(3)不易实现双面沉积。目前缺少一种配合立式磁控溅射设备使用的硅片装载装置。
[0004]申请号为CN202122819467.7的技术专利公开一种刀粒真空镀膜装载架，包括刀粒安装架，所述刀粒安装架呈瓦状结构，包括瓦状底板、瓦状顶板、支撑杆和刀粒杆；所述瓦状顶板和所述瓦状底板上下对应设置，所述支撑杆设于所述瓦状顶板和所述瓦状底板之间并位于内侧，所述支撑杆和所述瓦状底板之间固定安装，所述支撑杆和所述瓦状顶板之间可拆卸安装；所述刀粒杆设于所述瓦状顶板和所述瓦状底板之间并位于外侧，所述刀粒杆和所述瓦状底板之间转动连接，所述刀粒杆和所述瓦状顶板之间转动连接；所述刀粒杆的下段还固定安装有拨动齿轮。上述专利技术不能适用于立式PVD磁控溅射镀膜设备，无法克服现有技术中的存在的技术问题。
[0005]申请号为CN201810599996.0的专利技术属于真空镀膜
，具体涉及一种物理气相沉积PVD装置，包括真空室，设置在真空室内的工件架、离子源系统、溅射电源，以及若干双组孪生磁控靶，所述工件架为立式旋转式结构，所述离子源系统采用立式条形大面积离子源。同样，上述专利技术不能适用于立式PVD磁控溅射镀膜设备，无法克服现有技术中的存在的技术问题。
技术实现思路
[0006]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种结构合理、适用立式磁控溅射设备使用的立式PVD倾斜沉积硅片装载装置。
[0007]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种立式PVD倾斜沉积硅片装载装置；
[0008]包括基片架和至少一组掩膜托盘；
[0009]每组掩膜托盘包括两个掩膜托盘，每个掩膜托盘设有若干覆膜区域，处于覆膜区域内的掩膜托盘反面侧壁开有契合基片轮廓的装配槽，处于覆膜区域内的掩膜托盘还开有与基片的镀膜区域吻合的镀膜通孔，所述镀膜通孔一侧延伸至掩膜托盘的正面侧壁，所述镀膜通孔另一侧延伸至与装配槽相通，装配槽下侧侧壁延伸有限位凸台，装配槽正面槽壁与限位凸台正面侧壁之间构成放置基板的空间；
[0010]基片架上设有至少一个工位，处于工位内的基片架两侧分别固定连接有斜撑板，
两个斜撑板的正面分别朝向基片架外侧，所述斜撑板的反面侧壁设有形成有容纳掩膜托盘的卡槽，所述斜撑板上开有贯穿其正、反面的遮罩孔，所述遮罩孔完全覆盖掩膜托盘的所有镀膜通孔。
[0011]作为立式PVD倾斜沉积硅片装载装置的优选，所述基片架顶部设有若干与管式炉内导轨配合的导向滚轮，若干导向滚轮沿基片架的长度方向依次间隔布置。
[0012]作为立式PVD倾斜沉积硅片装载装置的优选，所述基片架底部设有与管式炉内驱动机构配合的拉光圆钢。
[0013]作为立式PVD倾斜沉积硅片装载装置的优选，基片架的斜撑板与竖直面之间具有10～15
°
的倾角。
[0014]采用这样的结构后，掩膜托盘的每个装配槽放置一片基片，两组掩膜托盘分别放置在基片架两组工位上，基片架竖直布置，每个掩膜托盘处于对应斜撑板的卡槽内。
[0015]利用本立式PVD倾斜沉积硅片装载装置可以实现靶材同时向多片基片进行镀膜作业，并且同一区域内可以通过两片基片镀膜。
附图说明
[0016]图1是本立式PVD倾斜沉积硅片装载装置实施例中掩膜托盘的背面视图。
[0017]图2是图1的左视图的剖视图。
[0018]图3是图2的A部放大图。
[0019]图4是本立式PVD倾斜沉积硅片装载装置实施例中基片架的正面视图。
[0020]图5是图4的左视图的剖视图。
[0021]图6是图5的B部放大图。
具体实施方式
[0022]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。
[0023]本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
[0024]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0025]请参阅图1至图6。
[0026]本立式PVD倾斜沉积硅片装载装置包括基片架2和两组掩膜托盘1。
[0027]每组掩膜托盘1包括两个掩膜托盘1，每个掩膜托盘1设有六个覆膜区域，处于覆膜区域内的掩膜托盘1反面侧壁开有契合基片轮廓的装配槽12，处于覆膜区域内的掩膜托盘1还开有与基片的镀膜区域吻合的镀膜通孔11，镀膜通孔11一侧延伸至掩膜托盘1的正面侧壁，镀膜通孔11另一侧延伸至与装配槽12相通，装配槽12下侧侧壁延伸有限位凸台13，装配
槽12正面槽壁与限位凸台13正面侧壁之间构成放置一片基板的空间。
[0028]基片架2上设有两个工位，两组掩膜托盘1与两个工位一一对应，处于工位内的基片架2两侧分别焊接固定有斜撑板21，两个斜撑板21的正面分别朝向基片架2外侧，斜撑板21上开有贯穿其正、反面的遮罩孔21a，遮罩孔21a完全覆盖掩膜托盘1的所有镀膜通孔11，斜撑板21的反面侧壁设有形成有容纳掩膜托盘1的卡槽21b，遮罩孔21a的面积小于掩膜托盘1的面积，斜撑板21与竖直面之间具有15
°
的倾角。
[0029]基片架2顶部设有五个与管式炉内导轨配合的导向滚轮22，五个导向滚轮22沿基片架2的长度方向依次间隔布置。基片架2底部设有与管式炉内驱动机构配合的拉光圆钢23。
[0030]使用时，掩膜托盘1的每个装配槽12放置一片基片，两组掩膜托盘1分别放置在基片架2两组工位上，每个掩膜托盘1处于对应斜撑板21的卡槽21b内，利用本立式PVD倾斜沉积硅片装载装置可以实现靶材同时向多片基片进行镀膜作业(靶材也随着倾斜15
°
)，并且同一区域内可以通过两片基片镀膜。
[0031]以上所述的仅是本发本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种立式PVD倾斜沉积硅片装载装置，其特征为：包括基片架和至少一组掩膜托盘；每组掩膜托盘包括两个掩膜托盘，每个掩膜托盘设有若干覆膜区域，处于覆膜区域内的掩膜托盘反面侧壁开有契合基片轮廓的装配槽，处于覆膜区域内的掩膜托盘还开有与基片的镀膜区域吻合的镀膜通孔，所述镀膜通孔一侧延伸至掩膜托盘的正面侧壁，所述镀膜通孔另一侧延伸至与装配槽相通，装配槽下侧侧壁延伸有限位凸台，装配槽正面槽壁与限位凸台正面侧壁之间构成放置基板的空间；基片架上设有至少一个工位，处于工位内的基片架两侧分别固定连接有斜撑板，两个斜撑板的正面分别朝向基片架外侧，所述斜撑板的反面侧壁...
【专利技术属性】
技术研发人员：王杨阳，彭为报，葛怀庆，章新良，孙嵩泉，
申请(专利权)人：普乐新能源蚌埠有限公司，
类型：发明
国别省市：
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