【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在布线基板上倒装芯片封装(7 U 7 f ” 実装flip-chip mount)具有凸起的半导体芯片时使用的粘结膜。
技术介绍
在布线基板上倒装芯片封装具有凸起的半导体芯片时,需广泛使用将导电性颗 粒分散于绝缘性的粘结剂组合物中而成的各向异性导电膜。作为这样的导电性颗粒,使 用在树脂核的表面形成有无电镀层的物质以使其在布线基板的连接垫片(接続〃7 K connection pad)和半导体芯片的凸起之间压碎。不过,随着安装布线基板中布线的狭间距化,凸起也向窄面积化发展,故需要减小 各向异性导电粘结膜中使用的导电性颗粒的粒径,出现了非常难于制造均一的小粒径树脂 颗粒的问题。因此,如下进行在布线基板和半导体芯片之间夹持非导电性粘结膜(NCF), 使其压碎而将半导体芯片的凸起与布线基板的连接垫片或凸起搭接,通过使非导电性粘结 膜固化而使两者连接固定(NCF连接)。在NCF连接的情况下,为了提升非导电性粘结膜的连接可靠性,有提议为了调整 非导电性粘结膜的储藏弹性率、线膨胀系数、熔融粘度等,在非导电性粘结膜中,相对于每 100体积份的树脂固体成分掺混1 5 ...
【技术保护点】
粘结膜,其为包含含有环氧化合物、固化剂和填料的粘结剂组合物,用于在布线基板上倒装芯片封装具有凸起的半导体芯片的粘结膜,其特征在于, 相对于环氧化物、固化剂和填料的总量,填料的含量为10~70质量%, 该填料含有平均粒径为0.5~1.0μm的第1非导电性无机颗粒和对平均粒径为0.5~1.0μm的第2非导电性无机颗粒进行无电镀处理以使平均粒径不超过1.5μm而获得的导电性颗粒, 填料的10~60质量%为该导电性颗粒。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2008-5-28 2008-1390051.粘结膜,其为包含含有环氧化合物、固化剂和填料的粘结剂组合物,用于在布线基板 上倒装芯片封装具有凸起的半导体芯片的粘结膜,其特征在于,相对于环氧化物、固化剂和填料的总量,填料的含量为10 70质量%, 该填料含有平均粒径为0. 5 1. 0 μ m的第1非导电性无机颗粒和对平均粒径为0. 5 1. 0 μ m的第2非导电性无机颗粒进行无电镀处理以使平均粒径不超过1. 5 μ m而获得的导 电性颗粒,填料的10 60质量%为该导电性颗粒。2.权利要求1的粘结膜,其中,第1及第2非导电性无机颗粒为硅微粒...
【专利技术属性】
技术研发人员:须贺保博,
申请(专利权)人:索尼化学信息部件株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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