薄膜型可光降解的转印材料制造技术

技术编号:4971617 阅读:231 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种薄膜型可光降解的转印材料,其包括:支持膜、树脂保护层、可光降解的光致抗蚀剂层和覆盖膜,其中所述树脂保护层的粘合力小于或等于0.05kgf。当该薄膜型可光降解的转印材料用于形成精细电路图形例如印刷电路板等时,通过在曝光时使掩模与光敏树脂层间的距离最小化,而提高图形的分辨率,且即使在曝光过程前去除支持膜,也可以片状进行加工,或者卷对卷工艺可用于加工中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种薄膜型可光降解的转印材料
技术介绍
一般而言,作为薄膜型光敏转印材料,通常使用干膜型光敏转印材料(下文,称为 “干膜光致抗蚀剂”)。通常,干膜光致抗蚀剂一般用于形成印刷线路板、印刷电路板以及集成电路组件, 其包括支持膜、光致抗蚀剂层和覆盖膜三层。依据光学原理的不同,干膜光致抗蚀剂包括负型干膜光致抗蚀剂和正型干膜光致 抗蚀剂。对于负型干膜光致抗蚀剂,在其曝光部位进行光交联反应,用碱洗去其未曝光部 位,从而在其上形成光致抗蚀剂图形。对于正型干膜光致抗蚀剂,在其曝光部位进行光降解 反应,并用碱显影,从而光致抗蚀剂图形在未曝光部位上形成。对于正型干膜光致抗蚀剂,光致抗蚀剂层包括通过光反应的光敏化合物和碱溶性 树脂,并因为光致抗蚀剂所制成的溶液形成膜而具有预定的粘合性。在干膜光致抗蚀剂中,支持膜用于支撑光致抗蚀剂层,并使具有粘合性的光致抗 蚀剂层在光致抗蚀剂层曝光时易于处理。进一步地,在干膜光致抗蚀剂中,覆盖膜在未形成 有支持膜的光致抗蚀剂层上形成,且用于防止光致抗蚀剂层被损坏。根据使用干膜光致抗蚀剂形成图形的方法,例如正型干膜光致抗蚀剂,当此方法 应用于印刷电路板时,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜型可光降解的转印材料,包括:  支持膜;  树脂保护层;  可光降解的光致抗蚀剂层;和  覆盖膜,  其中,所述树脂保护层的粘合力为0.05kgf或小于0.05kgf,该粘合力定义为,在所述支持膜已从树脂保护层上分离出,然后将一单独的PET膜层压于树脂保护层上后,将该PET膜从树脂保护层上由距起始剥离点5cm剥离到距起始剥离点8cm所需要的力。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:文熙岏李炳逸
申请(专利权)人:可隆工业株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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