一种光热辐射感生电压材料及其薄膜的制备方法技术

技术编号:3215121 阅读:237 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种光热辐射感生电压材料及其薄膜的制备方法,属光、热辐射感生电压材料技术领域。本发明专利技术用T↓[1-X]D↓[X]Mn↓[Y]O↓[δ]作为光辐射、热辐射感生电压效应的材料,并将其外延生长在倾斜取向的SrTiO↓[3],LaAlO↓[3],YSZ,MgO,LaSrAlO↓[4]单晶衬底上。因而具有和YBCO类似的光、热辐射感生电压效应。特点是制备价格低,稳定性优于YBCO,可以在室温下工作,不必致冷,可以在很宽的光、热辐射频谱下工作(从紫外、可见光到远红外),时间常数小等优点。可用于制造光、热辐射的探测器,做成薄膜的阵列时可用于快速成像。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光热辐射感生电压材料及其薄膜的制备方法,属光、热辐射感生电压材料
已有的光、热辐射感生电压材料可以分为两大类光子探测器和热探测器。光子探测器多基于半导体材料。当入射光子的能量高于能隙或杂质能级时,可将电子或空穴激发成为自由载流子,从而使入射辐射被测量。但是这类材料大多只在确定而有限的光波长下工作。并且工作波长越长,信号噪声也越大,为了降低噪声材料和器件必须致冷。如用HgCdTe材料制造的红外成像仪。热探测器也分很多种,多是基于晶体受热时物理参数的改变,通过测量物理参数的变化推知晶体接受的热辐射。如利用超导体从正常态到超导态转变点附近的电阻对热的极端敏感而制造的Bolometer,如利用热释电效应制造的红外探测器等。新的一类光热辐射探测器是基于各向异性的SeebecK效应,并最先在YBa2Cu3O7-δ(YBCO)中发现。这类材料由于晶体结构的各向异性当沉积在倾斜的单晶衬底上时就会有光热感生电压出现。人们利用此效应已开发了几种光、热辐射探测器。其优点是在很宽的频谱(从红外到紫外)内均有很高的响应率而时间常数很小。其唯一的缺点是YBCO在使用环境中的稳定性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光热辐射感生电压材料,其特征在于用T↓[1-X]D↓[X]Mn↓[Y]O↓[δ]作为光辐射、热辐射感生电压效应的材料:其分子式T↓[1-X]D↓[X]Mn↓[Y]O↓[δ]中:T代表三价的Y和稀土离子或其组合,D代表二价Ca、Sr、Pb、Ba或其组合,其中x小于1,y=0.75-1.5,δ=2.5-4.0。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光热辐射感生电压材料,其特征在于用T1-XDXMnYOδ作为光辐射、热辐射感生电压效应的材料;其分子式T1-XDXMnYOδ中T代表三价的Y和稀土离子或其组合,D代表二价Ca、Sr、Pb、Ba或其组合,其中x小于1,y=0.75-1.5...

【专利技术属性】
技术研发人员:张鹏翔汉斯乌利希哈博迈耶尔李晓航
申请(专利权)人:昆明理工大学
类型:发明
国别省市:53[中国|云南]

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