半导体装置及其校准方法制造方法及图纸

一种半导体装置，包括参考电压发生单元，比较电压发生单元和校准单元。所述参考电压发生单元设置在参考裸片中并配置用于产生参考电压。所述比较电压发生单元设置在堆叠于所述参考裸片上的裸片中，并配置用于响应于校准控制信号产生比较电压。所述校准单元配置用于将所述参考电压的电平与所述比较电压的电平进行比较并产生所述校准控制信号。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置，具体地说涉及。技术背景半导体装置，特别是诸如动态随机存取存储器(DRAM)的存储装置，一直被要求减 小尺寸和增大容量以及提高性能。因此，存储装置被高度集成，并且需要增加单位封装的容 量以满足该要求。由于这种需求，已经开发了在将多个芯片封装入单个封装的同时增加半 导体装置的容量的技术。另外，最近的研究广泛地针对使用穿透硅通孔(TSV)技术的3维 (3D)封装半导体装置，在穿透硅通孔(TSV)技术中，通孔穿透多个堆叠芯片，从而多个堆叠 芯片可以电连接在一起。容纳在单个封装内的多个芯片如同单个半导体装置一样操作。因此，各个芯片相 对于工艺、电压和温度(PVT)变化的特征必须彼此一致。然而，由于受到在晶片上制造大量 芯片的半导体制造工艺的限制，构成单个半导体装置的堆叠芯片不可避免地具有彼此不同 的特征。
技术实现思路
在此描述可以提供的本专利技术的各个实施例，其中多个堆 叠的裸片可以具有基本上相同的特征。在本专利技术的一个实施例中，一种具有多个堆叠裸片的半导体装置包括参考电压 发生单元，设置于参考裸片中并配置用于产生参考电压；比较电压发生单元，设置在堆叠于 所述参本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有多个堆叠裸片的半导体装置，包括：参考电压发生单元，设置在参考裸片中并配置用于产生参考电压；比较电压发生单元，设置在堆叠于所述参考裸片上的裸片中，并配置用于响应于校准控制信号产生比较电压；以及校准单元，配置用于将所述参考电压的电平与所述比较电压的电平进行比较并产生所述校准控制信号。

【技术特征摘要】
KR 2009-9-30 10-2009-00935741.一种具有多个堆叠裸片的半导体装置，包括参考电压发生单元，设置在参考裸片中并配置用于产生参考电压； 比较电压发生单元，设置在堆叠于所述参考裸片上的裸片中，并配置用于响应于校准 控制信号产生比较电压；以及校准单元，配置用于将所述参考电压的电平与所述比较电压的电平进行比较并产生所 述校准控制信号。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述比较电压发生单元被设置在所述堆 叠裸片内的区域中，该区域对应于所述参考电压发生单元被设置在的所述参考裸片中的区 域。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述校准单元被设置在所述参考裸片和 所述堆叠裸片中的一个中。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述参考裸片、所述堆叠裸片和所述校准 单元通过穿透硅通孔(TSV)电连接在一起。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述比较电压发生单元包括多个驱动器， 该多个驱动器配置...

【专利技术属性】
技术研发人员：权容技，李炯东，金英博，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]