【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体存储器
，具体涉及一种电阻随机存储器，尤其涉及一 种通过插入金属氧化物层或者金属氮氧化合物层来提高电阻随机存储器数据保持能力的 方法。
技术介绍
以Flash为代表的传统非挥发性存储器件已经取得了巨大的成功，但是随着工艺 尺寸的不断减小，Flash即将到达它的物理极限。为发展下一代的非挥发存储器替代技术， 一些新型的存储技术正蓬勃地发展着。电阻随机存储器(RRAM)便是这些新型非挥发存储 技术中最耀眼的一种。电阻随机存储器利用存储介质的电阻在电信号作用下，在高阻和 低阻间可逆转换的特性来存储信号。电阻随机存储器由于其优异的按比例缩小(scaling down)能力、与标准逻辑工艺完美兼容，且制备工艺简单，具有很强的成本优势，因此，电阻 随机存储器被认为是下一代非挥发性存储技术中最具潜力的一种。然而，电阻随机存储器 在真正走向应用之前还需要克服很多障碍，其中很关键的一点便是提高其数据保持能力 (data retention)，尤其是在嵌入式应用领域。图1所示为传统的三明治结构的电阻随机存储单元示意图。如图1所示。以1T1R 结构为例，其形...
【技术保护点】
一种提高电阻随机存储器数据保持能力的方法，所述电阻随机存储器包括下电极、金属氧化物存储介质层、上电极，其特征在于，在所述电阻随机存储器的电极和金属氧化物存储介质层之间插入介质薄膜层。
【技术特征摘要】
一种提高电阻随机存储器数据保持能力的方法，所述电阻随机存储器包括下电极、金属氧化物存储介质层、上电极，其特征在于，在所述电阻随机存储器的电极和金属氧化物存储介质层之间插入介质薄膜层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述电阻随机存储器的上电极和金属 氧化物存储介质层之间插入一层介质薄膜层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述电阻随机存储器的下电极和金属 氧化物存储介质层之间插入一层介质薄膜层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述电阻随机存储器的上电极和金属 氧化物存储介质层之间插入第一层介质薄膜层，同时在所述电阻随机存储器的下电极和金 属氧化物存储介质层之间均插入第二层介质薄膜层。5.根据权利要求1或2或3或4所述的方法，其特征在于，所述介质薄膜层为金属氧化 物或金属氮氧化物。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物或金属氮氧化物中的金 属元素不同于金属氧化物存储介质层中的金属元素。7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述介质薄膜层为金属氧化物或金属氮 氧化物，所述金属氧化物或金属氮氧化物中的金属元素与所述上电极的金属元素相同。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物或金属氮氧化物通过薄 膜沉积的方法形成。9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物或金属氮氧化物通过金 属氧化物存储介质层中的氧元素扩散至上电极使上电极氧化形成。10.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述介质薄膜层为金属氧化物或金属氮 氧化物，所述金属氧化物或金属氮氧化物中的金属元素与所述下电极的金属元素相同。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：林殷茵，万海军，周鹏，吕杭炳，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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