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本发明提供一种提高电阻随机存储器数据保持能力的方法，属于半导体存储器技术领域。该方法通过在所述电阻随机存储器的电极和金属氧化物存储介质层之间插入介质薄膜层，使电阻随机存储器的数据保持能力大大提高。...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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