【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子半导体
，具体涉及一种减小阻变存储器电阻转变过程 中阻值离散性的方法。
技术介绍
阻变存储器(RRAM)是一种利用可控的电阻变化实现数据存储的新型非挥发性存 储器。这种存储器具有高速度(< 5ns)、低电压(< 2V)、高存储密度、易于集成等优点，是 下一代半导体存储器的强有力竞争者。阻变存储器的工作原理是在阻变材料两端施加大小 或者极性不同的电压，控制阻变材料的电阻值在高低电阻态之间转换。阻变存储器的工作 方式包括单极和双极两种，前者在器件两端施加单一极性的电压，利用外加电压大小不同 控制阻变材料的电阻值在高低电阻态之间转换，以实现数据的写入和擦除；而后者是利用 施加不同极性的电压控制阻变材料电阻值的转换。习惯上称阻变材料表现出的两个稳定的 状态为高阻态和低阻态，由高阻态到低阻态的转变为program或者SET，由低阻态到高阻态 的转变为eraze或者RESET。在阻变存储器第一次转变之前，通常需要施加一次较大的电 压，使器件从初始状态转变为低阻态，这一过程称为Forming过程。相对单极阻变存储器， 双极的器件一般具有更...
【技术保护点】
一种减小阻变存储器阻值离散性的方法，其特征在于，该方法：包括：Ｓ１、在Ｆｏｒｍｉｎｇ过程中施加一个电流脉冲，使阻变存储器的阻变材料从初始态转为低阻态；Ｓ２、在ＳＥＴ过程中施加一个电流脉冲，使阻变存储器的阻变材料从高阻态转为低阻态；Ｓ３、在ＲＥＳＥＴ过程中施加一个反向电压脉冲，使阻变存储器的阻变材料从低阻态转为高阻态。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：康晋锋，高滨，陈冰，陈沅沙，刘力锋，刘晓彦，韩汝琦，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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