数据控制电路制造技术

数据控制电路包括输入／输出线和驱动器。当读操作或写操作不工作时，输入／输出线预充电电路将全局输入／输出线预充电到预定电压。驱动器包括多个ＭＯＳ晶体管并且在读操作期间响应于从局部输入／输出线和互补局部输入／输出线接收数据而驱动全局输入／输出线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体电路，更具体地，涉及数据控制电路。
技术介绍
随着计算系统和电子通信的不断发展，用于保存信息的半导体存储器的产品变得 越来越便宜、尺寸越来越小、数据容量越来越大。此外，对能量效率的不断增长的需要目前 正驱使着半导体存储器以比以前大大减少的电流消耗工作。同时，动态随机存取存储器(DRAM)具有用于进行读和写操作的各种类型的驱动 器。例如，可以利用用于驱动全局输入/输出线接受来自局部输入/输出线的数据的输入 /输出线读出放大器驱动器来执行DRAM的读操作。DRAM的写操作需要用于驱动全局输入 /输出线从DQ垫(pad)接收输入数据的数据输入驱动器。构建在DRAM内的那些驱动器一般由金属氧化物半导体(MOS)晶体管组成。由于 MOS晶体管的电流特性性能在低电源电压(VDD)条件下大大下降，因此电流可驱动性能趋 向恶化。为此，必须将由低电源条件供电的那些MOS晶体管驱动器配置为比DRAM中的其他 MOS晶体管大，以便保证稳定的可驱动性。但是，当不需要读或写操作时，例如，当在省电状态中时，漏电流仍然可以流过关 断的驱动器的这些MOS晶体管。因此，用于在低电源电压条件下实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数据控制电路，包括：输入／输出线预充电电路，被配置为当读或写操作不工作时将全局输入／输出线预充电到预定电压；和驱动器，包括多个ＭＯＳ晶体管，并且被配置为在读操作期间响应于从局部输入／输出线和互补局部输入／输出线接收数据而驱动全局输入／输出线，其中所述ＭＯＳ晶体管中的驱动全局输入／输出线的至少一个ＭＯＳ晶体管具有比其他ＭＯＳ晶体管的阈值电压低的阈值电压。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李相权，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]