【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体技术，涉及但不限于一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储器系统。
技术介绍
1、存储器是用于存储信息的设备。随着对存储器的存储容量或存储密度的需求的不断提高，采用垂直堆叠多层半导体层的方式提高单位面积上的存储容量。其中，随着存储器中的堆叠层数的增加，为了降低存储器的整体厚度，相邻的层之间的间距缩短。这样，对相邻层所传输的信号的区分的精度要求提高，也就对堆叠层内的沟道结构的电性传输的可靠性提出更高的要求。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储器系统。
2、第一方面，本申请实施例提供一种半导体结构。半导体结构包括：半导体层、堆叠结构和沟道结构。堆叠结构设置于所述半导体层的一侧，包括交替层叠的绝缘层和栅极层。沟道结构沿所述堆叠结构的堆叠方向至少部分贯穿所述堆叠结构，包括沟道层和位于所述沟道层靠近所述堆叠结构的一侧的功能叠层；所述功能叠层包括非晶态的第一介电层。
3、在一些示例中，所述功能叠层包括捕获层...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述功能叠层包括捕获层；所述捕获层包括所述第一介电层和第二介电层；所述第一介电层的介电常数大于所述第二介电层的介电常数。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述捕获层包括所述第二介电层、所述第一介电层和所述第二介电层叠置的三层。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述捕获层包括交替的多个所述第一介电层和多个所述第二介电层；
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介电层的介电常数大于20。<...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述功能叠层包括捕获层；所述捕获层包括所述第一介电层和第二介电层；所述第一介电层的介电常数大于所述第二介电层的介电常数。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述捕获层包括所述第二介电层、所述第一介电层和所述第二介电层叠置的三层。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述捕获层包括交替的多个所述第一介电层和多个所述第二介电层；
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介电层的介电常数大于20。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介电层的材料包括掺杂粒子和高介电常数材料结合的纳米晶材料。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所以掺杂粒子的浓度为6％～20％。
8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介电层的高介电常数材料包括氧化铝，氧化铪和氧化锆中的一种或多种。
9.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂粒子包括氧化铝，氧化铪和氧化硅中的一种或多种；所述第一介电层的高介电常数材料与所述掺杂粒子不同。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介电层的厚度范围为1.2nm～3nm。
11.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：任爱，武志洲，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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