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本公开实施例公开了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储器系统。该半导体结构包括：半导体层、堆叠结构和沟道结构。堆叠结构设置于半导体层的一侧，包括交替层叠的绝缘层和栅极层。沟道结构沿堆叠结构的堆叠方向至少部分贯穿堆叠结构，包括沟道层和位于...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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