【技术实现步骤摘要】
本申请实施方式涉及半导体，尤其涉及半导体器件及其制备方法、三维存储器和存储系统。
技术介绍
1、半导体器件是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备，其主要功能是存储程序和各种数据，并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取。以半导体器件为三维存储器为例，三维存储器通常包括堆叠结构以及多个栅线缝隙结构和顶部选择栅极切线，多个栅线缝隙结构均贯穿堆叠结构，以将堆叠结构划分多个存储块；相邻两个栅线缝隙结构之间设置有至少一个贯穿部分堆叠结构的顶部选择栅极切线，以将存储块划分为多个指存区。
2、目前，如何进一步提高半导体器件的性能是本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。
技术实现思路
1、本申请实施方式提供的半导体器件及其制备方法、三维存储器和存储系统可解决或部分解决现有技术中的上述不足或现有技术中的其他不足。
2、根据本申请第一方面提供的半导体器件，包括：
3、半导体层；
4、堆叠结构，沿第一方向位于所述半导体层的一侧；
5、沟道...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述沟道结构包括多个分别与所述切线部对应的子沟道部，所述子沟道部沿所述第三方向位于对应的所述切线部的一侧。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述子沟道部包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，最远离所述半导体层的所述子沟道部还包括顶部插塞，所述顶部插塞沿所述第一方向位于对应的所述填充芯层远离所述半导体层的一侧并与对应的所述沟道层连接。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，最远离所述半导体层的所述子沟道部的所述沟道层...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述沟道结构包括多个分别与所述切线部对应的子沟道部，所述子沟道部沿所述第三方向位于对应的所述切线部的一侧。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述子沟道部包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，最远离所述半导体层的所述子沟道部还包括顶部插塞，所述顶部插塞沿所述第一方向位于对应的所述填充芯层远离所述半导体层的一侧并与对应的所述沟道层连接。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，最远离所述半导体层的所述子沟道部的所述沟道层覆盖对应的所述填充芯层的其中一部分侧壁，所述填充芯层的另外一部分侧壁与最远离所述半导体层的所述切线部的侧壁接触。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，最靠近所述半导体层的所述子沟道部的所述沟道层覆盖对应的所述填充芯层的其中一部分侧壁，所述填充芯层的另外一部分侧壁与最靠近所述半导体层的所述切线部的侧壁接触；
7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，最靠近所述半导体层的所述子沟道部的所述沟道层包覆对应的所述填充芯层的侧壁。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，最靠近所述半导体层的所述子沟道部的功能层包覆对应的所述沟道层的侧壁，最靠近所述半导体层的所述切线部的侧壁与最靠近所述半导体层的所述子沟道部的所述功能层的部分侧壁接触。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述功能层包括沿所述第三方向朝远离所述沟道层的方向依次设置的隧穿层、电荷捕获层和阻挡层...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊文豪，贾建权，李楷威，王均保，王文栋，冯骏波，崔佳萌，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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