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本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、三维存储器和存储系统。该半导体器件包括：半导体层；堆叠结构，沿第一方向位于半导体层的一侧；沟道结构，沿第一方向贯穿堆叠结构；以及顶部选择栅极切线，沿第一方向穿过部分堆叠结构和部分沟道结构并沿第二方向延...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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