一种双隧穿光电转化半导体器件制造技术

本技术公开了一种双隧穿光电转化半导体器件，包括：N型硅基板；P型掺杂层，位于N型硅基板的第一表面；第一钝化层，位于P型掺杂层的表面；第一保护层，位于第一钝化层的表面；第一电极，设置在P型掺杂层的表面，穿过第一钝化层和第一保护层延伸至第一保护层外；第一隧穿层，位于N型硅基板的第二表面；第一掺杂多晶硅层，位于第一隧穿层的表面；第二隧穿层，位于第一掺杂多晶硅层的表面；第二掺杂多晶硅层，位于第二隧穿层的表面；第二钝化层，位于第二掺杂多晶硅层的表面；第二保护层，位于第二钝化层的表面；第二电极，设置在第二掺杂多晶硅层中，穿过第二钝化层和第二保护层延伸至第二保护层外。本技术能够改善半导体器件的EL良率。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体，具体涉及一种双隧穿光电转化半导体器件。

技术介绍

1、能源是人类生存和发展的动力，传统化石能源分布不均，且日益枯竭，能源短缺日益制约社会的发展，同时随着化石能源带来愈发严重的生态问题，威胁到人类的生存，为此全球各国逐渐将目光转移到太阳能电池，通过半导体二极管实现光电转化，持续地获得清洁能源。

2、现有技术中，开发出了第一代铝背场(bsf)太阳能电池，随后发现该电池技术方案存在严重的背面复合问题，为此开发出第二代发射极和背面钝化(passivated emitterand rear cell，perc)电池，perc电池的背面依旧存在严重的光电子复合，影响电池发电能力；因此，将半导体的隧穿结构引入太阳能电池片的结构设计，从而开发出第三代n型隧穿背钝化太阳能电池，早期的第三代n型隧穿背钝化太阳能电池，背面钝化采用低压化学气相沉淀(low pressure chemical vapor deposition，lpcvd)方式来生成多晶硅层。但lpcvd的使用使得现有pecvd设备淘汰，增加了企业的沉没成本，为此，在原perc装备上完本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双隧穿光电转化半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的双隧穿光电转化半导体器件，其特征在于，沿垂直于所述N型硅基板的方向，所述第一隧穿层的厚度0.5～3nm。

3.根据权利要求1所述的双隧穿光电转化半导体器件，其特征在于，沿垂直于所述N型硅基板的方向，所述第一掺杂多晶硅层的厚度为1～60nm。

4.根据权利要求1所述的双隧穿光电转化半导体器件，其特征在于，沿垂直于所述N型硅基板的方向，所述第二隧穿层的厚度为0.5～3nm。

5.根据权利要求1所述的双隧穿光电转化半导体器件，其特征在于，沿垂直于所述N型硅基板的方向，所...

【技术特征摘要】

1.一种双隧穿光电转化半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的双隧穿光电转化半导体器件，其特征在于，沿垂直于所述n型硅基板的方向，所述第一隧穿层的厚度0.5～3nm。

3.根据权利要求1所述的双隧穿光电转化半导体器件，其特征在于，沿垂直于所述n型硅基板的方向，所述第一掺杂多晶硅层的厚度为1～60nm。

4.根据权利要求1所述的双隧穿光电转化半导体器件，其特征在于，沿垂直于所述n型硅基板的方向，所述第二隧穿层的厚度为0.5～3nm。

5.根据权利要求1所述的双隧穿光电转化半导体器件，其特征在于，沿垂直于所述n型硅基板的方向，所述第二掺杂多晶硅层的厚度为1～80nm。

6.根据权利要求1所述的双隧穿光电转化半导体器件，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡鹏，何其金，宋剑，王自磊，余帆，周超，
申请(专利权)人：扬州新瑞光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：