片式电阻器制造技术

本发明专利技术提供一种片式电阻器，具备：分别配置在陶瓷基板（１１）的上下表面的一对厚膜上表面电极（２２、２３）、和一对厚膜下表面电极（１４、１５）；跨越一对厚膜上表面电极间而配置的厚膜电阻体（１６）；覆盖厚膜电阻体的保护膜（１７）；配置在陶瓷基板的端面的连接厚膜上表面电极与厚膜下表面电极的端面电极（１８、１９）；以及覆盖未被保护膜覆盖的厚膜上表面电极的部分、端面电极、及厚膜下表面电极的镀层（２０、２１），包含在厚膜上表面电极（２２、２３）中的金属材料以Ａｇ为主成分，进而包含Ｐｄ和Ａｕ。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及厚膜四方形片式(chip)电阻器，特别涉及提高了针 对硫化气体的耐受性的电极的结构。
技术介绍
在厚膜四方形片式电阻器中，如图3所示，具备分别配置在陶 瓷基板ll的上下表面的一对厚膜上表面电极12、 13和一对厚膜下表 面电极14、 15;跨一对厚膜上表面电极12、 13间而配置的厚膜电阻 体16;覆盖电阻体16的保护膜17;配置在陶瓷基板11的端面并将 厚膜上表面电极12、 13与厚膜下表面电极14、 15连接起来的端面电 极18、 19;以及覆盖未被保护膜17覆盖的厚膜上表面电极12、 13的 部分、端面电极18、 19、及厚膜下表面电极14、 15的镀层20、 21。作为厚膜上表面电极12、 13或厚膜下表面电极14、 15的材料， 一般使用Ag类材料或Ag-Pd类材料。但是，当在包含硫化气体的 气氛中使用这样的厚膜片式电阻器的情况下，尤其存在上表面电极 12、 13的Ag类材料形成硫化银而造成导通不良、断线的情况这样的 课题。针对这样的课题，例如以下的公报等提出了对应的方案。在日本特开平7 - 169601号公报中，提出了以与第一上表面电极 层2的一部分重叠的方式，设置利用厚膜Ag骨而形成的第二上表面 电极层5的结构(参照摘要)。该文献记载了如下内容因为第二上 表面电极层5以与保护层6的上表面的一部分重叠的方式形成，所以 第一上表面电极层2不会被硫化气体侵蚀，不易引起断线。在日本特开平7 - 176402号公报中，提出了如下结构，即设置有 氧化铝基板1上的由银类厚膜构成的第一上表面电极层3;完全覆盖 第一上表面电极层3的由贵金属类薄膜构成的第二上表面电极层4;4以及与第二上表面电极层4的一部分重叠的钌类的电阻层2。此处， 记载了如下内容贵金属类薄膜使用金-树脂酸盐(resinate) (0010 栏)，由此防止第一上表面电极层3的硫化。在日本特开2002-064003号公报中，提出了如下结构在保护 层40与镀敷层26相接的部分的下层、且上表面电极层22的上表面， 形成上表面电极保护层23，该上表面电极保护层23由耐硫化特性优 良的材质、例如含有大于等于5.0%的钯的银类厚膜形成。根据该文 献的记载，由此，即使在上表面电极层22中使用了没有耐硫化特性 的材质，上表面电极层22也不会被硫化，所以可以消除断线等引起 片式电阻器的故障的危险性(0007栏)。但是，在上述公报记栽的方法中，都形成用于保护Ag类的电极 免于硫化的电极保护层(在日本特开平7 - 169601号公报中是第二上 表面电极层5，在日本特开平7- 176402号公报中是第二上表面电极 层4，在日本特开2002 - 064003号公报中是上表面电极保护层23)。 因此，存在由于上表面电极的层数增加，而使制造工序增加、制造成 本提高这样的课题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种片式电阻 器，这种片式电阻器不会增加制造工序，且对硫化气体的耐受性高。本专利技术提供一种片式电阻器，具备分别配置在陶瓷基板的上下 表面的一对厚膜上表面电极、和一对厚膜下表面电极；跨越上述一对 厚膜上表面电极间而配置的厚膜电阻体；覆盖上述厚膜电阻体的保护 膜；配置在上述陶乾基板的端面的连接上述厚膜上表面电极与上述厚 膜下表面电极的端面电极；以及覆盖未被上述保护膜覆盖的上述厚膜 上表面电极的部分、上述端面电极、及上述厚膜下表面电极的镀层， 其特征在于，包含在上述厚膜上表面电极中的金属材料以Ag为主成 分，进而包含Pd和Au。根据本专利技术的片式电阻器，包含在厚膜上表面电极中的金属材料以Ag为主成分，并包含Pd和Au,从而可以提高针对硫化气体的耐 受性，可以极其良好地抑制以Ag类材料为主体的厚膜上表面电极的 硫化的行进。即，根据本专利技术的厚膜上表面电极的结构，在硫化试验 中，即使暴露在硫化气氛中，在厚膜上表面电极中也不会产生变色， 不会感觉到外观上的变化。因此，仅通过变更电极膏材料的组成，不 增加工序，就能提供一种针对硫化气体具有高耐受性的片式电阻器。另外，在焙烧厚膜电阻体时，如果是通常的Ag类或Ag-Pd类 电极，则Ag成分向厚膜电阻体的部分扩散，而成为电阻值变化的原 因，但如果是包含Au和Pd的Ag类电极，则Ag向厚膜电阻体的扩 散被抑制，可以抑制电阻值变化。因此，仅通过变更电极膏材料的组 成，就可以提供 一 种具有高稳定性的电阻值的片式电阻器。附图说明图l是本专利技术的一个实施方式的片式电阻器的剖面图。图2A至图2G是示出上述片式电阻器的制造工序的剖面图。图3是以往的片式电阻器的剖面图。具体实施例方式以下，参照附图，对本专利技术的一个实施方式进行说明。图l示出 本专利技术的片式电阻器，图2示出其制造工序。另外，在各图中，对同 一或相当的部件或要素，附加同一标号而进行说明。在本专利技术的片式电阻器中，除了厚膜上表面电极22、 23的金属 材料以Ag为主成分进而包含Pd和Au以外，与以往技术的片式电阻 器没有区别。即，如图1所示，具备配置在氧化铝陶瓷基板11的 上下表面的一对厚膜上表面电极22、 23和一对厚膜下表面电极14、 15;以及跨越一对上表面电极22、 23间而配置的氧化钌类厚膜电阻 体16。此处，包含在厚膜上表面电极22、 23中的金属材料优选以Ag 为主成分，且包含15 25wt。/n的Pd、 l-20wt。/。的Au。这样，仅在 与电阻体16直接连接的上表面电极22、 23中，使用金属材料以Ag为主成分进而包含Pd和Au的电极材料，在厚膜下表面电极14、 15 中，使用如以往那样不包含Au的Ag类或Ag-Pd类的电极材料。进而，在该片式电阻器中，具备覆盖厚膜电阻器16的保护膜 17;以及配置在氧化铝陶瓷基板ll的端面的连接厚膜上表面电极22、 23与厚膜下表面电极14、 15的端面电极18、 19。另外，具备覆盖未 被保护膜17覆盖的厚膜上表面电极22、 23的部分、端面电极18、 19、 以及厚膜下表面电极14、 15的镀层20、 21。保护膜17由玻璃类绝缘 材料的第一保护涂层17a、和环氧树脂类绝缘材料的第二保护涂层17b 这两层构成。端面电极18、 19由通过溅射形成的Ni的薄膜构成。镀 层20、 21由Ni等的基底镀层和Sn等的镀层构成。因此，如图所示，保护膜17和镀层20的边界部分A位于厚膜 上表面电极22上，保护膜17和镀层21的边界部分B位于上表面电 极23上。由此，虽然硫化气体从保护膜17与镀层20、 21的边界部 分A、 B浸入，但通过在该浸入部分中使用本专利技术的厚膜上表面电极， 可以有效地抑制硫化的发展。接下来，对包含在厚膜上表面电极22、 23中的金属材料优选以 Ag为主成分，且包含15 25wt。/。的Pd、 1 20wt。/。的Au,以提高 针对硫化气体的耐受性这一点的根据进行说明。基于下述的实验结果 进行说明。首先，作为上表面电极材料，准备由17 20wt。/。的有机成分、2 3wt。/。的玻璃成分、剩余部分为下表所示的金属成分构成的电极材料 骨。在试样1~11的陶瓷基板上印刷焙烧该电极材料青，在包含硫磺 的液体中加热至大约100。C，并浸渍3000个小时而观察其变化。另夕卜， 由于有机成分在焙烧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种片式电阻器，具备：　分别配置在陶瓷基板的上下表面的一对厚膜上表面电极、和一对厚膜下表面电极；　跨越上述一对厚膜上表面电极间而配置的厚膜电阻体；　覆盖上述厚膜电阻体的保护膜；　配置在上述陶瓷基板的端面的连接上述厚膜 上表面电极与上述厚膜下表面电极的端面电极；以及　覆盖未被上述保护膜覆盖的上述厚膜上表面电极的部分、上述端面电极、及上述厚膜下表面电极的镀层，其特征在于，　包含在上述厚膜上表面电极中的金属材料以Ａｇ为主成分，还包含Ｐｄ和Ａｕ。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2007-5-31 144760/20071.一种片式电阻器，具备分别配置在陶瓷基板的上下表面的一对厚膜上表面电极、和一对厚膜下表面电极；跨越上述一对厚膜上表面电极间而配置的厚膜电阻体；覆盖上述厚膜电阻体的保护膜；配置在上述陶瓷基板的端面的连接上述厚膜上表面电极与上述厚膜下表面电极的端面电极；以及覆盖未被上述保护膜覆盖的上述厚膜上表面电极的部分、上述端面电极、及上述厚膜下表面电极的镀层，其特征在于，包含在上述厚膜上表面电极中的金属材料以Ag为主成分，还包含Pd和Au。2. 根据权利要求1所述的片式电阻器，其特征在于，上述保护 膜与上述镀层的边界部分位于上述厚膜上表面电极之上。3. 根据权利要求1所述的片式电阻器，其特征在于，包含于上 述厚膜上表面电极中的金属材料中，Pd是15 ~ 25wt ...

【专利技术属性】
技术研发人员：松井贵弘，永田久和，唐泽诚治，
申请(专利权)人：兴亚株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]