【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开大致涉及制造半导体器件的方法，更具体地涉及具有 应力器(stressor)的半导体器件及其制造方法。相关技术应力器层被典型地用于在晶体管的沟道区中产生应力以改 善沟道区的载流子迁移率。典型地在形成硅化物之后沉积应力器层。 由沟道区中的应力器层导致的应力为形成应力器层的温度的函数。由 于高温下硅化物的热不稳定性，应力器层无法在高温下形成。因此，需要一种。附图简要说明通过示例说明本专利技术，并且本专利技术并不限于附图，其中相同 的附图标记表示相同的元素。图中的所示元素为简便和清晰起见而被 示出，并不需要依据比例绘制。附图说明图1为一处理阶段期间的半导体器件的视图； 图2为一处理步骤期间的半导体器件的视图； 图3为一处理步骤期间的半导体器件的视图； 图4为一处理步骤期间的半导体器件的视图； 图5为一处理步骤期间的半导体器件的视图； [(K)10]图6为一处理步骤期间的半导体器件的视图； 图7为一处理步骤期间的半导体器件的视图； [(K)12]图8为一处理步骤期间的半导体器件的视图；以及 图9为一处理步骤期间的半导体器件的视具体实施例方式—方面，提供了一种形成...
【技术保护点】
一种在半导体层中和在半导体层上形成半导体器件的方法，包括： 在所述半导体层的顶表面上形成栅极电介质； 在所述栅极电介质上形成栅极层叠； 在所述栅极层叠周围形成侧壁间隔物； 使用所述侧壁间隔物作为掩模进行注入，以在所述 半导体层中形成深源极／漏极区； 在所述深源极／漏极区和所述栅极层叠的顶表面上形成是晶体的碳化硅区；以及 使用镍来将所述碳化硅区转化为硅化物区。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2007-5-22 11/751,7241.一种在半导体层中和在半导体层上形成半导体器件的方法，包括在所述半导体层的顶表面上形成栅极电介质；在所述栅极电介质上形成栅极层叠；在所述栅极层叠周围形成侧壁间隔物；使用所述侧壁间隔物作为掩模进行注入，以在所述半导体层中形成深源极/漏极区；在所述深源极/漏极区和所述栅极层叠的顶表面上形成是晶体的碳化硅区；以及使用镍来将所述碳化硅区转化为硅化物区。2. 根据权利要求l所述的方法，进一步包括，在所述深源极/漏极 区和所述栅极层叠上进行硅化的步骤之后，沉积应力器层。3. 根据权利要求2所述的方法，其中沉积应力器层的步骤迸一步 的特征在于，在至少550摄氏度的温度下执行化学气相沉积。4. 根据权利要求3所述的方法，其中沉积应力器层的步骤进一步 的特征在于，所述应力器层包括镍。5. 根据权利要求1所述的方法，其中形成碳化硅区的步骤进一步 的特征在于，移除所述半导体层表面处的部分所述深源极/漏极区以及 从所述栅极层叠的顶表面处的所述栅极层叠移除一部分，并随后外延 地生长所述碳化硅区。6. 根据权利要求1所述的方法，其中形成碳化硅区的步骤进一步 的特征在于执行向所述深源极/漏极区和所述栅极层叠的顶表面中的注入，以形成非晶区；将碳注入至所述非晶区中，以形成碳掺杂的非晶区；以及 退火以将所述碳掺杂的非晶区转化为是晶体的碳化硅区。7. 根据权利要求1所述的方法，其中形成碳化硅区的步骤进一步 的特征在于，在所述深源极/漏极区和所述栅极层叠的顶表面上外延地 生长所述碳化硅区。8. 根据权利要求7所述的方法，其中使用镍的步骤进一步的特征 在于使用铂和镍的合金。9. 根据权利要求7所述的方法，其中硅化步骤进一步的特征在于 沉积包括镍的层；加热以使得所述碳化硅区硅化；以及 移除包括镍的所述层的残留部分。10. 根据权利要求9所述的方法，其中将层沉积的步骤进一步的特征在于该层包括铂。11. 根据权利要求1所述的方法，进一步包括执行注入，以在 邻近于所述栅极层叠的衬底中形成源极/漏极延伸部。12. —种在硅层中和在硅层上形...
【专利技术属性】
技术研发人员：斯特凡措尔纳，维拉拉格哈文德翰达帕尼，保罗A格吕多斯基，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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