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在半导体层（１６）中形成半导体器件（１０）。在半导体层（１６）的顶表面上形成栅极电介质（２０）。在栅极电介质（２０）上形成栅极层叠（１８）。在栅极层叠（１８）周围形成侧壁间隔物（２４）。使用侧壁间隔物（２４）作为掩模，执行注入以在半导体层中...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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