【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种溅射靶及氧化物半导体膜。另外，本专利技术还涉及半导 体器件，尤其涉及将具有规定的电子载体浓度的结晶质氧化铟用作半导体 的半导体器件。
技术介绍
包含金属复合氧化物的氧化物半导体膜具有高迁移性及可见光透过 性，被用于液晶显示装置、薄膜电致发光显示装置、电泳方式显示装置、 粉末移动方式显示装置等开关元件、驱动电路元件等用途。作为这样的包含金属复合氧化物的氧化物半导体膜，氧化锌系结晶性 薄膜(专利文献l)受到关注。但是，氧化锌具有缺乏稳定性的缺点，被 实用化的例子很少。在非专利文献1中公开了使用包含氧化铟、氧化镓及氧化锌的非晶质 的透明半导体膜的薄膜晶体管。但是，该透明半导体膜为非晶质，所以具 有缺乏稳定性的缺点。另外，上述氧化铟由于在其结晶中含有很多缺氧区，所以被用作导电 性出色的透明材料。但是，在将氧化铟用作氧化物半导体膜的材料的情况 下，不能控制缺氧量，氧化铟成为导电材料，有时难以用作氧化物半导体 膜的半导体。上述的包含金属复合氧化物的氧化物半导体膜的场效应迁移率为8cm2/V sec以下，进一步具有电流的On—Off比也小的缺点。此外，在...
【技术保护点】
一种溅射靶，其包含含有铟（Ｉｎ）及至少一种以上选自钆（Ｇｄ）、镝（Ｄｙ）、钬（Ｈｏ）、铒（Ｅｒ）及镱（Ｙｂ）中的元素的氧化物的烧结体，其中， 所述氧化物的烧结体实质上包括方铁锰矿结构。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2007-3-20 072596/2007;JP 2007-3-23 076810/20071.一种溅射靶，其包含含有铟(In)及至少一种以上选自钆(Gd)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)及镱(Yb)中的元素的氧化物的烧结体，其中，所述氧化物的烧结体实质上包括方铁锰矿结构。2. 根据权利要求1所述的溅射靶，其中，在将钆(Gd)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)及镱(Yb)的含量 设为M时，M/ (In+M)所示的原子比为0.01 0.25。3. 根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中， 还含有正二价的金属元素，所述正二价的金属元素的含量相对于溅射靶中的全部金属元素为 1 10原子％。4. 根据权利要求3所述的溅射靶，其中， 所述正二价的金属元素为锌(Zn)及/或镁(Mg)。5. 根据权利要求1 4中任意一项所述的溅射靶，其中， 还含有正四价以上的金属元素，所述正四价以上的金属元素的含量相对于溅射靶中的全部金属元素， 以原子比计为100ppm 2000ppm。6. 根据权利要求5所述的溅射靶，其中，所述正四价以上的金属元素为选自锗(Ge)、钛(Ti)、锆(Zr)、 铌(Nb)及铈(Ce)中的1种以上的元素。7. —种氧化物半导体膜，其含有铟(Iii)及至少1种以上选自钆(Gd)、 镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)及镱(Yb)中的元素，且实质上包括方 铁锰矿结构。8. 根据权利要求7所述的氧化物半导体膜，其中，在将轧(Gd)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)及镱(Yb)的含量 设为M时，M/ (In+M)所示的原子比为0.01 0.25。9. 根据权利要求7或8所述的氧化物半导体膜，其中，还含有正二价的金属元素，所述正二价的金属元素的含量相对于氧化物半导体膜中的全部金属 元素为1 10原子％。10. 根据权利要求9所述的氧化物半导体膜，其中，所述正二价的金属元素为锌(Zri)及/或镁(Mg)。11. 根据权利要求7 10中任意一项所述的氧化物半导体膜，其中， 还含有正四价以上的金属元素，所述正四价以上的金属元素的含量相对于氧化物半导体膜中的全部 金属元素，以原子比计为100ppm 2000ppm。12. 根据权利要求ll所述的氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：井上一吉，矢野公规，笠见雅司，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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