下载溅射靶、氧化物半导体膜及半导体器件的技术资料

文档序号:4590433

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本发明提供一种溅射靶,其是包含含有铟(In)、及至少一种以上选自钆(Gd)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)及镱(Yb)中的元素的氧化物的烧结体的溅射靶,其中,所述氧化物的烧结体实质上包括方铁锰矿结构。...
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