用于液晶混合物的吡啶化合物制造技术

本发明专利技术涉及一种式（Ⅰ）的液晶化合物，其中Ｒ↑［１］、Ｒ↑［２］、Ａ↑［１］、Ａ↑［２］、Ａ↑［３］、Ａ↑［４］、Ｚ↑［１］、Ｚ↑［２］、Ｚ↑［３］、Ｖ、ａ、ｂ和ｃ具有在权利要求（１）中给出的意义，以及涉及包含至少一种式（Ⅰ）化合物的液晶介质和包含这样一种液晶介质的光电显示器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及2，5-取代的吡啶衍生物和具有二氟亚甲基氧 (Difluormethylenoxy )基团的3-氟代吡咬衍生物以及它们作为液晶 介质中组分的用途。本专利技术还涉及包含根据本专利技术的液晶介质的液晶 显示元件和光电显示元件。根据本专利技术的化合物包含特定排布的二氟 亚甲基氧基团。
技术介绍
过去数年间，液晶化合物的应用领域显著拓宽到各种形式的显示 装置、光电设备、电子器件、传感器等应用领域。出于这个原因，提 出了一系列不同的结构，特别是在向列液晶领域。向列液晶混合物至 今为止在平面显示装置中具有最广泛的应用。它们特别是用在被动 TN-或STN-矩阵显示器或具有TFT-有源矩阵的系统中。根据本专利技术的化合物可以用作液晶介质的组分，特别是用于基于 扭曲盒原理(verdrillte Zelle)、宾主效应、取向相变效应 (Deformation aufgerichteter Phasen) DAP或ECB (电控双折射) 效应、IPS效应(面内切换)或动态散射效应的显示器。作为液晶物质的具有二氟亚甲基氧桥(-CF20-)的特定衍生物的用 途对专业技术人员来说是已知的。在公开文献JP 58035174中公开了 具有吡啶环和CF20基团的杀虫剂。此外，已经有对具有二氟亚曱基氧桥而没有吡啶环的不同化合物 作为液晶材料及其制备的描述，例如在公开文献EP 0786445 Al中。公开文献US 5445763公开了应用在铁电显示器中的具有一重氟化 的吡啶环的近晶化合物。所述文献没有给出二氟亚甲基氧基团的教导。 其中公开的化合物应解决下列问题，即提供非极性化合物或具有负介8电各向异性的化合物，但不是具有特别高的正介电各向异性的化合物。本专利技术的描述本专利技术的目的因此在于，找到适合作为液晶介质组分的新型稳定的化合物。特别地，所述化合物应同时具有比较低的粘度，以及在正区域内的介电各向异性。对于在液晶领域的很多实际的混合物方案(Mischungskonzepte)有利的是，使用具有高介电各向异性A s的化合物。鉴于这类具有高A s化合物的各不相同的应用范围，期望得到优选具有高向列性(NematogeniUt)的其它化合物，其在各个应用中具有精确的尺寸剪裁性(ma p geschneidert)的特征。因此，本专利技术的目的在于，找到造合作为特别是用于例如TN-、STN-、 IPS-和TN-TFT-显示器的液晶介质的组分的新型稳定化合物。本专利技术的另一目的在于，提供一种化合物，其自身或在混合物中具有高介电各向异性A s以及高清亮点。此外，根据本专利技术的化合物在应用领域中占主导的条件下应是热稳定和光化学稳定的。另外，根据本专利技术的化合物应尽可能具有宽的向列相。作为介晶(Mesogene)，其应可以使得在与液晶辅助组分的混合物中具有宽的向列相，以及与向列基础混合物特别是在低温时可以极好地混合。令人惊奇地发现，根据本专利技术的吡啶衍生物优选适合作为液晶介质的组分。在其帮助下可以得到特别适用于TN-TFT-和STN-显示器，但也适用于IPS-系统或需要特别高介电各向异性的更新方案的液晶介质。根据本专利技术的化合物在大气作用下也特别稳定且是无色的。其特征还在于特别强的正介电各向并性A s，因为在光学线路元件应用中要求低的阔值电压。它们自身或在混合物中具有宽的向列相区域。此外，根据本专利技术的化合物具有特别低的熔点、高清亮点并且同时具有低的旋转粘度Y!值。与来自现有技术得物质相比，观察到了升高的热稳定性、增加的清亮点和特别高的极性(介电各向异性)。提供根据本专利技术的吡啶衍生物， 一般来说大大拓宽了从不同应用200880013008.4说明书第3/34页技术角度来看适用于制备液晶混合物的液晶物质的范围。因此，本专利技术的主题是式I的化合物，其中r和R2分别互相独立地代表H, F、 Cl、 Br,具有1至15个C原子的闺化或未取代的烷基残基，其中在所述残基中一个或更多个CH2-基团还可以分别互相独立地通过-CsC-、 -CH-CH-、 - (CO) 0-、 -0 (C0)-、-(CO)-或-0-如此地代替，使得O-原子不互相直接连接，其中112还可以表示CN、 SCN、 NCS或SF5,A1、 A2、 AS和A^分别互相独立、相同或不同地为a) 反-l，4-环亚己基或环亚己烯基(Cyclohexenylen)，其中一个或更多个不相邻的CH厂基团还可以通过-0-和/或-S-来代替，并且其中H可以被F取代，b) 1，4-亚苯基，其中一个或两个CH-基团可以通过N来代替，并且其中一个或更多个H原子还可以;敗Br、 Cl、 F、 CN、曱基、甲氧基或者单氟化或多氟化的甲基-或甲氧基团代替，c)选自基团1，4-双环(2，2，2)-亚辛基、哌啶-l，4-二基、环丁-l，3-二基、螺庚烷-2，6-二基的残基，或者其中氢原子可以被F、 CN、 SCN、 SF5、 CH2F、 CHF2、 CF3、 0CH2F、0CHF2或0CF3—次或多次取代，一个或更多个双键可以被单键代替，M、 N^或M2表示-0-、 -S-、 -CH广、-CHY-或-CYY1-，从而相邻的基团不同时表示-o-或-s-，且Y和Y:表示C1、 F、 CN、 OCF3或CF3，V表示H或F，Z1、 Z'和f分别互相独立，相同或不同地表示单键、-CH20-、-(CO) 0-、 -CF20-、 -CH2CH2CF20-、 -CF2CF2-、 -CH2CF2-、 -CH2CH2—、 - (CH2) 4-、-CH-CH-、 -CH-CF-、 -CF-CF-或-C芸C-，其中可以向着两侧定向有(orientieren )不对称的桥，且a表示0、 1或2，优选0或1b表示0、 1或2,优选1，和c表示0、 1或2,优选0，其中a + b + c < 4，优选等于1、 2或3,特别优选是1或2。如果对于a、 b或c > 1的情况它们多次出现，则A1—3或ZH可以独立地还采用不同的意义。本专利技术的主题还在于式I的化合物在液晶介质中的用途。本专利技术的主题同样还在于具有弄少两种包含至少一种式I吡啶衍生物的液晶组分的液晶介质。式I的化合物具有广泛的应用领域。根据对取代基的选择，所述化合物可以用作基础材料(由其构成液晶介质的主要部分)；但也可以向式I的化合物中添加来自其它化合物类型的液晶基础材料，从而例如影响这种绝缘材料的介电和/或其光学各向异性，和/或优化它们的阈值电压和/或粘性。式I的化合物在纯的状态下，无色的并且在有利地适于光电用途的温度范围内自身或在混合物中形成液晶中间相。利用根据本专利技术的化合物可以获得宽的向列相范围。在液晶混合物中，根据本专利技术的化合物提高了清亮点且明显提高了混合物的极性。还可以在空气中在20小时内将其加热至130'C或更高，优选甚至150T或更高，而不出现明显的分解。优选的是式I的化合物，其中a是0或1,特别是a = 1。Z'和/或Z3优选表示单键，-CF20-、 -OCF广、-C2Fr、 -CH20-、 -OCH广、-(CO)O-,特别是单键。Z2优选表示-CH2CH「、 -CH=CH-、 -CsC-或单键，特别是单键。对于Z2是单鍵的情况，A2优选表示选自根据式I定义的b)或c)组的不饱和环或芳香环本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种式Ⅰ的化合物　　Ｒ↑［１］－（Ａ↑［１］－Ｚ↑［１］）↓［ａ］－＊－（Ｚ↑［２］－Ａ↑［２］）↓［ｂ］－ＣＦ↓［２］Ｏ－（Ａ↑［３］－Ｚ↑［３］）↓［ｃ］－Ａ↑［４］－Ｒ↑［２］　Ⅰ　　其中　　Ｒ↑［１］和Ｒ↑［２］分别互相独立地代表Ｈ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，具有１至１５个Ｃ原子的卤化或未取代的烷基残基，其中在所述残基中一个或更多个ＣＨ↓［２］－基团也可以分别互相独立地通过－Ｃ≡Ｃ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－（ＣＯ）Ｏ－、－Ｏ（ＣＯ）－、－（ＣＯ）－或－Ｏ－如此地代替，使得Ｏ－原子不互相直接连接，其中Ｒ↑［２］还可以表示ＣＮ、ＳＣＮ、ＮＣＳ或ＳＦ↓［５］，　　Ａ↑［１］、Ａ↑［２］、Ａ↑［３］和Ａ↑［４］分别互相独立、相同或不同地表示：　　ａ）反－１，４－环亚己基或环亚己烯基，其中一个或更多个不相邻的ＣＨ↓［２］－基团还可以通过－Ｏ－和／或－Ｓ－来代替，并且其中Ｈ可以被Ｆ取代，　　ｂ）１，４－亚苯基，其中一个或两个ＣＨ－基团可以通过Ｎ来代替，并且其中一个或更多个Ｈ原子还可以被Ｂｒ、Ｃｌ、Ｆ、ＣＮ、甲基、甲氧基或者单氟化或多氟化的甲基－或甲氧基团代替，或者　　ｃ）选自基团１，４－双环（２，２，２）－亚辛基、哌啶－１，４－二基、环丁－１，３－二基、螺［３．３］庚烷－２，６－二基的残基，　　＊＊＊　　其中氢原子可以被Ｆ、ＣＮ、ＳＣＮ、ＳＦ↓［５］、ＣＨ↓［２］Ｆ、ＣＨＦ↓［２］、ＣＦ↓［３］、ＯＣＨ↓［２］Ｆ、ＯＣＨＦ↓［２］或ＯＣＦ↓［３］一次或多次取代，　　一个或更多个双键可以被单键代替，　　Ｍ、Ｍ↑［１］或Ｍ↑［２］表示－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＨ↓［２］－、－ＣＨＹ－或－ＣＹＹ↑［１］－，从而相邻的基团不同时表示－Ｏ－或－Ｓ－，且　　Ｙ和Ｙ↑［１］表示Ｃｌ、Ｆ、ＣＮ、ＯＣＦ↓［３］或ＣＦ↓［３］，　　Ｖ表示Ｈ或Ｆ，　　Ｚ↑［１］、Ｚ↑［２］和Ｚ↑［３］分别互相独立、相同或不同地表示单键、－ＣＨ↓［２］Ｏ－、－（ＣＯ）Ｏ－、－ＣＦ↓［２］Ｏ－、－ＣＨ↓［２］ＣＨ↓［２］ＣＦ↓［２］Ｏ－、－ＣＦ↓［２］ＣＦ↓［２］－、－ＣＨ↓［２］ＣＦ↓［２］－、－ＣＨ↓［２］ＣＨ↓［２］－、－（ＣＨ↓［２］）↓［４］－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＨ＝ＣＦ－、－ＣＦ＝ＣＦ－或－Ｃ≡Ｃ－，其中可以向着两侧定向有不对称的桥，且　　ａ表示０、１或２，　　ｂ表示０、１或２，和　　ｃ表示０、１或２，　　其中ａ＋ｂ＋ｃ≤４。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：L利曹，M克赞塔，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]