制备取代并五苯的工艺制造技术

本发明专利技术涉及制备取代并五苯的工艺，通过该工艺制备的新型并五苯，该新型并五苯作为半导体或电荷传输材料在包括场效应晶体管（ＦＥＴ）、电致发光、光伏和传感器件的光学、电光或电子器件中的用途，以及包含该新型并五苯的ＦＥＴ和其他半导体部件或材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制备取代并五苯的工艺，和通过该工艺制备的新型并五苯。本专利技术进一步涉及该新型并五苯在包括场效应晶体管(FET)、电致发光、光伏和传感器件的光学、电光或电子器件中作为半导体或电荷传输材料的用途。本专利技术进一步涉及包含该新型并五苯的FET和其他半导体部件或材料。
技术介绍
近年来，为了制造更通用、更低成本的电子器件已经开发出了有机半导体材料。这些材料在众多器件或设备中得到应用，包括有机场效应晶体管(OFET)、有机发光二极管(0LED)、光电检测器、光伏(PV)电池、传感器、存储元件和逻辑电路等等。有机半导体材料典型地以薄层形式、例如小于1微米厚存在于电子器件中。并五苯已经显示出作为有机半导体材料的前景。并五苯已被描述成要求高度结晶的结构从而提供产生良好电荷移动性(chargemobility)的分子取向。因此，在现有技术中将并五苯的薄膜气相沉积，这部分归因于并五苯在常见溶剂中是相当不可溶的。然而，气相沉积要求昂贵和复杂的设备。考虑到这个问题， 一种方法在于施涂含有前体并五苯的溶液和然后例如通过热将该前体化合物化学转化成并五苯。然而，这种方法也是复杂的，而且难以进行控本文档来自技高网...

【技术保护点】
制备１，４，８，１１－四取代并五苯的工艺，其包括：　　ａ１）在还原剂存在下还原４，７－二取代异苯并呋喃－１，３－二酮（２）以形成４，７－二取代３Ｈ－异苯并呋喃－１－酮（４），或者　　ａ２）在氧化剂存在下氧化１，２－双（羟基甲基）－３，６－二取代苯（３）以形成４，７－二取代３Ｈ－异苯并呋喃－１－酮（４），或者　　ａ３）在氧化剂存在下氧化１，２－双（羟基甲基）－３，６－二取代苯（３）以形成４，７－二取代１－羟基－１，３－二氢－异苯并呋喃（５ａ），　　和，在步骤ａ　１）或步骤ａ　２）的情况下，　　ｂ）在还原剂存在下还原步骤ａ　１）或ａ　２）的产物（４）以形成４，７－二取代１－羟基－１，３－二氢－异苯...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：S蒂尔尼，M黑内，C贝利，张卫民，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]