光学活性环氧化合物的制造方法技术

技术编号:4511989 阅读:237 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术的课题是提供光学活性环氧化合物的制造方法。本发明专利技术的解决课题的方法涉及一种在工业上有用的光学活性环氧化合物的制造方法,发现在光学活性钛-salen络合物、光学活性钛-salalen络合物或光学活性钛-salan络合物存在下,不饱和化合物与氧化剂进行反应时,通过在反应体系中添加缓冲剂或缓冲液,与现有技术相比,可以抑制催化剂分解、可以减少催化剂用量且可以抑制副产物,并发现能够以高化学收率、高光学纯度制造品质良好的光学活性环氧化合物,从而完成了本发明专利技术。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
对于光学活性钛络合物,2005年报告了如果使用二卞-氧钛-salalen络合物,则在以过氧化氢水溶液为氧化剂的各种烯烃类的不对称环氧化反应中,以高对映选择性进行反应。但是,该技术中使用的光学活性钛络合物的分子量为接近2000的巨大分子量,因而合成该钛-salalen络合物花费成本和时间。另外,合成该钛-salalen络合物要经过分子内米尔温-庞多夫-韦尔莱(Meerwein-Ponndorf-Verley)还原反应,因此存在应用性方面也不充分的问题(例如,参考非专利文献1)。接着,2006年报告了如果使用二卞-氧钛-salan络合物,则在以过氧化氢水溶液为氧化剂的各种烯烃类的不对称环氧化反应中,以高对映选择性进行反应。该技术中使用的光学活性钛络合物的分子量被简化至1000左右,与上述钛-salalen络合物相比可以减少合成所花费的成本和时间。但是,如果使用该钛-salan络合物,则存在光学活性环氧化合物的对映选择性和化学收率降低,以及使用的催化剂量必须达到5摩尔。/。而不能减少催化剂的用量的问题(例如,参考专利文献中l和非专利文献2)。进而,2006年报告了对于使用钛-salan络合物作为催化剂的不对称环氧化反应,研究salan配体的取代基,从而成功地提高了催化剂的性能的例子(例如,参考非专利文献3)。但是,存在由底物生成的环氧化合物的一部分在反应条件下形成副产物,因而化学收率降低的问题,期待在纯化副产物所花费成本和时间方面能够充分令人满意的方法。而且,对于催化剂量,也需要4摩尔%~6摩尔%,从在反应之后纯化催化剂和催化剂的分ii解物的方面出发,期待进一步减少催化剂量。专利文献1:国际公开第06/087874号小册子非专利文献1: K. Matsumoto, Y. Sawada, B. Saito, K. Sakai, T. Katsuki, Angew. Chem. Int. Ed.(2005年),44, 4935-4939.非专利文献2: Y. Sawada, K. Matsumoto, S. Kondo, H. Watanabe, T. Ozawa, K. Suzuki, B. Saito, K. Sakai, T. Katsuki, Angew. Chem. Int. Ed.(2006年),45, 3478-3480非专利文献3: K. Matsumoto, Y. Sawada, T. Katsuki, SYNLETT (2006 年),20, 3545-354
技术实现思路
专利技术要解决的课题专利技术要解决的课题是,为了解决上述现有技术的问题,提供工业上有 用的,该制造方法可以抑制催化剂分解或 提高所使用的催化剂的效率,从而在降低催化剂用量、或抑制副反应的同 时,使反应毫不逊色地进行。 用于解决课题的方法专利技术者们对于在工业上有用的进行了 深入研究,结果发现,在光学活性钛-salen络合物、光学活性钛-salalen络 合物或光学活性钛-salan络合物存在下,使用氧化剂将分子中具有前手性 碳-碳双键的不饱和化合物进行不对称环氧化的反应中,通过在反应体系中 添加緩冲剂、緩冲液,可以抑制催化剂分解、可以减少反应中的催化剂用 量、可以抑制副产物,从而完成了能够以高化学收率、高光学纯度制造高 品质的光学活性环氧化合物的实用且在工业上有用的制造方法。即,本专利技术提供以下1.~7.。1.下述式(15)、式(16)、式(17)、式(18)、式(19)和式(20)的任一式所示 的,其特征在于,在式(l)、式(l,)、式(2)、 式(2,)、式(3)、式(3')、式(4)和式(4,)的任一式所示的光学活性配体与钛化合物反应所得到的光学活性钛-Salen络合物、钛-Salalen络合物或光学活 性钛-Salan^^物,和緩沖剂或緩冲液的存在下,将下述式(5)、式(6)、式 (7)、式(8)、式(9)和式(10)的任一式所示的不饱和化合物用氧化剂进行不对 称环氧化,<formula>formula see original document page 14</formula>18) (19) (20)其中,式(l)、式(l,)、式(3)和式(3,)是Salen配体,式(2)、式(2')、式 (4)和式(4,)是Salan配体,在上述式(l)、式(l,)、式(2)、式(2')、式(3)、式(3')、式(4)和式(4,)中,W表示氢原子、卤素原子、C"烷基、Cw烷氧基、C6_12芳氧基或C6.22 芳基,且是光学活性的或非旋光的,W表示氢原子、卤素原子、d-4烷基,rS表示Cws芳基,或者在2个RS—起形成环的情况下,表示C^s的 二价基团,W各自独立,表示氢原子、卤素原子、d-4烷基、Cw烷氧基、硝基 或氰基,在式(5)和式(6)中,R5、 R6、 if和RS各自独立,表示氢原子、氰基、硝基、氨基(该氨基未被保护基保护或被保护基保护)、卤素原子、Cw烷基 (该烷基未被取代或被卣素原子取代)、C^4烷氧基、羧基、甲酰基、d—4烷基羰基(该烷基羰基未被取代或被卣素原子取代)、C;n芳基羰基(该芳基羰 基未被取代或被卣素原子取代)、氨基曱酰基、Cw烷基亚磺酰基、Cwo芳基亚磺酰基、d-4烷基磺酰基、C芳基磺酰基、氨磺酰基、单烷基氨基磺酰基或c^二烷基氨基磺酰基,在式(5)、式(6)、式(9)和式(10)中,119表示氢原子、d-4烷基或d-4烷 氧基,在式(5)、式(6)、式(9)和式(10)中,R"表示氢原子、d-22烷基、d-4 烷氧基、<:6.1()芳基(该芳基未被取代,或被卤素原子、d-4烷基或d.4烷氧基取代),在式(6)中,RU表示Ci4烷基(该烷基未被取代或被卣素原子取代), 在式(7)和式(8)中,R"各自独立,表示氢原子、dw烷基、C"烷氧基、C6.n。芳基(该芳基未被取代,或被卤素原子、d.4烷基或d-4烷氧基取代),但是,式(5)、式(6)、式(8)和式(9)中的W与R"可以相互结合而形成 下述式(IO)、式(ll)、式(12)和式(13)的任一式所示的二价基团,在上述式(ll)、式(12)、式(13)和式(14)中,R"各自独立,表示氢原子或Q-6烷基,在式(9)和式(10)中,环部分结构A表示与苯环缩合的5元环、6元环 和7元环中的任一种,所述5元环、6元环和7元环的任一种均未蜂皮取代, 或被h个R"取代,作为构成环的原子,可以单独含有或组合含有1~3个 氧原子、氮原子或硫原子,环内的不饱和键数包括所缩合的苯环的不饱和 键,为l、 2或3,构成环的碳原子也可以是羰基或硫代羰基,RIIc——R2 2RIIcIIR .)3 <formula>formula see original document page 15</formula>其中,R"表示卣素原子、羟基、d—6烷基、硝基、氰 基、曱酰基、甲酰胺基、氨基曱酰基、磺基、磺氨基、氨磺酰基、磺酰基、 氨基、羧基、烷基氨基、二 d.6烷基氨基、d_6烷基羰基氨基、d.6 烷基磺酰胺基、Cw4芳基磺酰胺基、C^烷基氨基羰基、二CL6烷基氨基 羰基、Q-6烷基羰基、Cw烷氧本文档来自技高网
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【技术保护点】
下述式(15)、式(16)、式(17)、式(18)、式(19)和式(20)的任一式所示的光学活性环氧化合物的制造方法,其特征在于,在式(1)、式(1’)、式(2)、式(2’)、式(3)、式(3’)、式(4)和式(4’)的任一式所示的光学活性配体与钛化合物反应所得到的光学活性钛-Salen络合物、钛-Salalen络合物或光学活性钛-Salan络合物,和缓冲剂或缓冲液的存在下,将下述式(5)、式(6)、式(7)、式(8)、式(9)和式(10)的任一式所示的不饱和化合物用氧化剂进行不对称环氧化, *** 其中,式(1)、式(1’)、式(3)和式(3’)是Salen配体,式(2)、式(2’)、式(4)和式(4’)是Salan配体, 在上述式(1)、式(1’)、式(2)、式(2’)、式(3)、式(3’ )、式(4)和式(4’)中, R↑[1]表示氢原子、卤素原子、C↓[1-4]烷基、C↓[1-4]烷氧基、C↓[6-12]芳氧基或C↓[6-22]芳基[该芳基未被取代,或任意被C↓[1-4]烷基(该烷基未被取代或被卤素原子取代)、苄氧基或C ↓[1-4]烷氧基取代],且是光学活性的或非旋光的, R↑[2]表示氢原子、卤素原子、C↓[1-4]烷基, R↑[3]表示C↓[6-18]芳基,或者在2个R3一起形成环的情况下,表示C↓[3-5]的二价基团, R↑[4]各自独立,表示 氢原子、卤素原子、C↓[1-4]烷基、C↓[1-4]烷氧基、硝基或氰基, 在式(5)和式(6)中,R↑[5]、R↑[6]、R↑[7]和R↑[8]各自独立,表示氢原子、氰基、硝基、氨基(该氨基未被保护基保护或被保护基保护)、卤素原子、C ↓[1-4]烷基(该烷基未被取代或被卤素原子取代)、C↓[1-4]烷氧基、羧基、甲酰基、C↓[1-4]烷基羰基(该烷基羰基未被取代或被卤素原子取代)、C↓[7-11]芳基羰基(该芳基羰基未被取代或被卤素原子取代)、氨基甲酰基、C↓[1-4]烷基亚磺酰基、C↓[6-10]芳基亚磺酰基、C↓[1-4]烷基磺酰基、C↓[6-10]芳基磺酰基、氨磺酰基、单烷基氨基磺酰基或C↓[2-8]二烷基氨基磺酰基, 在式(5)、式(6)、式(9)和式(10)中,R↑[9]表示氢原子、C↓[ 1-4]烷基或C↓[1-4]烷氧基, 在式(5)、式(6)、式(9)和式(10)中,R↑[10]表示氢原子、C↓[1-22]烷...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:近藤章一嶋田裕也
申请(专利权)人:日产化学工业株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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